IGBT已經(jīng)是非常成熟的產(chǎn)品，目前在中高電壓領(lǐng)域的市場規(guī)模達(dá)16億美元。未來IGBT有向縮小電壓范圍發(fā)展的趨勢，以滿足電視機(jī)、計算機(jī)適配器和照相機(jī)等消費類目標(biāo)應(yīng)用需求，從而搶占更多市場。與此同時，在上述應(yīng)用中的SJMOSFET可提供更快的開關(guān)頻率和具有競爭力的價格，2012年年底，SJMOSFET市場規(guī)模將達(dá)5.67億美元。

 功率電子領(lǐng)域主要負(fù)責(zé)DC-DC轉(zhuǎn)換、AC-DC轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等工作。需要更輕更小更高效率更便宜，目前有4種技術(shù)來對應(yīng)這些要求，分別是silicon IGBT,Super Junction(SJ) MOSFETs,Gallium Nitride(GaN)and Silicon Carbide(SiC)-baseddevices.

 GaN和SiC對功率電子市場來說還不成熟。前者要求在制造工藝上做技術(shù)改進(jìn)，特別是外延厚度;而后者，目前是一種昂貴的材料，不適合在消費類市場使用。

 從功率處理能力來分，功率半導(dǎo)體分立器件可分為四大類，包括低壓小功率分立器件(電壓低于200V,電流小于200mA)、中功率分立器件(電壓低于200V,電流小于5A)、大功率分立器件(電壓低于500V,電流小于40A)、高壓特大功率分立器件(電壓低于2,000V，電流小于40A)。

 IGBT是RCA公司和GE公司在1982年提出并于1986年開始正式生產(chǎn)并逐漸系列化的器件，是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、UPS以及逆變焊機(jī)當(dāng)中，是目前發(fā)展最為迅速的新一代功率器件。

 IGBT下游應(yīng)用領(lǐng)域也非常廣闊，從IGBT的耐壓范圍上來分，600V-1200V的IGBT主要用于電磁爐、電源、變頻家電等產(chǎn)品，現(xiàn)階段這部分市場的IGBT用量最大;低于600V的IGBT主要用于數(shù)碼相機(jī)閃光燈和汽車點火器上;電壓大于1200V的IGBT主要以1700V的IGBT為主，這部分產(chǎn)品主要用在高壓變頻器等工業(yè)產(chǎn)品上。

 未來推動IGBT市場增長的最主要領(lǐng)域是變頻器、變頻家電、軌道交通產(chǎn)業(yè)、太陽能及風(fēng)能可再生能源、混合動力車和純電動車。出汽車外的市場都集中在中國.

 變頻器產(chǎn)業(yè)：變頻器對電機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩進(jìn)行實時調(diào)節(jié)，由此可以節(jié)約不必要的能源浪費。應(yīng)用變頻器的電動機(jī)節(jié)能效果明顯，一般節(jié)能率在20%-30%，較高的可以超過50%，節(jié)能潛力巨大。由于變頻器廣泛應(yīng)用到機(jī)械、油氣鉆采、冶金、石化、電力和市政等領(lǐng)域，具有廣泛的下游應(yīng)用需求，未來市場將有望保持持續(xù)增長，其中，我們預(yù)計高壓變頻器未來三年將保持40%以上的增速，而中低壓變頻器未來三年也將保持20%以上的增速。變頻器市場快速的增長，將保證作為變頻器主要原材料的IGBT的需求快速增長。

 目前國內(nèi)基本都是只能做到封裝IGBT管,完全自主生產(chǎn)我沒有看到,雖然南車說自己有8英寸線,但未聽說正式投產(chǎn)。