9月11日，國星光電(002449)公告稱，公司擬向不超過10名特定投資者非公開發(fā)行不超過9055萬股，發(fā)行價格不低于6.96元/股。此次，公司擬募集不超過6.3億元資金投入國星半導體外延芯片項目(二期)(以下簡稱芯片二期)及補充流動資金，其中5億用于國星半導體外延芯片項目(二期)建設(shè)，1.1億補充公司流動資金。

 預案顯示，芯片二期項目總投資為6.2億元，國星光電擬投入募集資金5億元。項目建成后，將年產(chǎn)LED外延片410.5萬片，240.5萬片，大中芯片36.6億粒，外延片全部用于生產(chǎn)芯片。項目建設(shè)期為15個月，預計達產(chǎn)后年可實現(xiàn)銷售收入5.32億元，稅后凈利潤8347萬元。

 國星光電表示，此次非公開發(fā)行，將進一步夯實公司在LED行業(yè)“垂直一體化”的業(yè)務(wù)架構(gòu)，提高公司封裝產(chǎn)品的市場競爭力。

 事實上，國星光電早在2012年便啟動了芯片一期項目的建設(shè)工作。一期項目總投資10.39億元，引進了20條MOCVD生產(chǎn)線及相應(yīng)的芯片生產(chǎn)設(shè)備，并一次性建成了滿足50條MOCVD生產(chǎn)線及相應(yīng)的芯片生產(chǎn)設(shè)備使用的生產(chǎn)廠房。預計可形成年產(chǎn)外延片96萬片、芯片63.36億粒的生產(chǎn)能力。國星光電曾表示，經(jīng)過調(diào)試和小批量生產(chǎn)后，公司預計9月底能夠?qū)崿F(xiàn)一期項目量產(chǎn)。

 記者注意到，高工LED產(chǎn)業(yè)研究所(GLII)數(shù)據(jù)顯示，截至2012年底，國內(nèi)MOCVD數(shù)量已經(jīng)達到917臺，而去年全年MOCVD產(chǎn)能利用率僅三成左右，已經(jīng)引發(fā)市場對芯片產(chǎn)能過剩的擔憂。國星光電上述兩期項目達產(chǎn)后，公司半導體整體芯片產(chǎn)能將達到每年100億顆左右。這無疑將極大的考驗公司未來的產(chǎn)能消化能力。