近日，晶科電子兩項發(fā)明專利《一種具有集成電路的發(fā)光器件及其制造方法》和《一種發(fā)光二極管器件及其制造方法》成功獲得國家知識產(chǎn)權局授權。

        《一種具有集成電路的發(fā)光器件及其制造方法》，專利號：201010581643.1，該發(fā)明涉及一種具有集成電路的發(fā)光器件，包括LED芯片和襯底。該LED芯片具有P電極和N電極。該襯底上設置有集成電路、第一金屬電極、第二金屬電極層和電極層連接部。該集成電路設置在該襯底的下表面，該第一金屬電極層覆蓋在該襯底的上表面，該第二金屬電極層覆蓋在該襯底的下表面并與集成電路連接，該電極層連接部貫穿該襯底上表面和下表面連接該第一電極層和第二電極層。該LED芯片倒裝在該襯底上，LED芯片的P電極和N電極分別與該襯底上的第一金屬電極層連接。本發(fā)明的具有集成電路的發(fā)光器件可避免光電寄生效應，具有較高穩(wěn)定性。

        《一種發(fā)光二極管器件及其制造方法》，專利號：201110076468.5。一種發(fā)光二極管器件，包括至少一LED芯片和一電路板。該LED芯片具有一N極和一P極，在N極和P極的表面覆蓋一電極層，其中，該N極和P極表面的電極層的厚度相同。該電路板的上表面覆蓋一絕緣層，該絕緣層的上表面覆蓋一導電層，在該導電層對應該LED芯片的N極的區(qū)域的上表面設置有一金屬層，該金屬層的厚度為LED芯片的N極與P極之間的高度差。該LED芯片倒裝設置在該電路板的上表面，其中，該LED芯片的P極通過電極層與導電層連接，該LED芯片的N極通過電極層和金屬層與導電層連接。相對于現(xiàn)有技術，本發(fā)明的發(fā)光器件中的電路板上對應該LED芯片的N極的區(qū)域上表面設置一金屬層，簡化了LED芯片的設計及制作工藝，進一步提高了LED芯片的性能。

        兩項發(fā)明對于優(yōu)化芯片和封裝制作工藝具有重要意義，其應用成果易系列基于倒裝焊接技術的無金線封裝產(chǎn)品近兩年在市場上得到廣泛應用，其中采用易星(3535)產(chǎn)品的高速公路LED隧道照明項目獲全球照明工程展示100佳殊榮。截止至目前，晶科電子正在申請及已獲授權專利共有77項。