制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圓)的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸(100mm)的產(chǎn)品，6英寸(150mm)產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來(lái)越少。

美國(guó)科銳(Cree)在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公司在SiC國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”(2013年9月29日～10月4日于日本宮崎縣舉行)上發(fā)表的內(nèi)容來(lái)看，截至2013年，功率元件用6英寸產(chǎn)品的微管密度在1個(gè)/cm2以下，平均水平為0.5個(gè)/cm2左右，較好時(shí)可達(dá)到0.01個(gè)/cm2。據(jù)估算，采用這種高品質(zhì)6英寸基片制作10mm見(jiàn)方的功率元件時(shí)，合格率高達(dá)98.7%。

科銳以直徑為4英寸的基片為例，展示了其基底面位錯(cuò)(BPD)的密度。據(jù)科銳介紹，4英寸基片的基底面位錯(cuò)密度為56個(gè)/cm2。在基片內(nèi)17%的范圍里，基底面位錯(cuò)為0個(gè)，在78%的范圍里不到5個(gè)。

據(jù)悉，在基底面位錯(cuò)密度為56個(gè)/cm2的4英寸基片上層疊厚度為60μm的外延層時(shí)，基底面位錯(cuò)的密度會(huì)降至2個(gè)/cm2。

另外，與原來(lái)相比，還可以減少功率元件用SiC基片的貫通螺旋位錯(cuò)(TSD)密度。以前裸基片和外延基片(層疊外延層的基片)的貫通螺旋位錯(cuò)密度分別為955個(gè)/cm2和837個(gè)/cm2，現(xiàn)在分降至447個(gè)/cm2和429個(gè)/cm2，減少了約一半。

不僅是功率元件用SiC基片，科銳還在從事LED用和高頻元件用SiC基片業(yè)務(wù)。LED用基片方面，6英寸產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷密度在2010年為8個(gè)/cm2，到2013年已經(jīng)低于2個(gè)/cm2。

高頻元件用基片方面，6英寸產(chǎn)品的微管密度目前為0.14個(gè)/cm2。這個(gè)水平在制作7mm見(jiàn)方的高頻元件時(shí)可實(shí)現(xiàn)96.3%的成品率。