外延生長(zhǎng)|磊晶的概念

       在合適的襯底基片上生長(zhǎng)結(jié)晶軸相互一致的結(jié)晶層的技術(shù)。用于制作沒(méi)有雜質(zhì)和缺陷的結(jié)晶層。包括在基片上與氣體發(fā)生反應(yīng)以積累結(jié)晶層的VPE(氣相生長(zhǎng))法、以及與溶液相互接觸以生長(zhǎng)結(jié)晶相的LPE(液相生長(zhǎng))法等。

主流技術(shù)

       藍(lán)色LED、白色LED以及藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器等GaN類(lèi)發(fā)光元件一般采用VPE法之一的MOCVD(metal Organic Chemical Vapor Deposition)法進(jìn)行生產(chǎn)。MOCVD采用有機(jī)金屬氣體等作為原料。藍(lán)色LED在藍(lán)寶石基片和SiC基片上，藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器在GaN基片上使用MOCVD裝置使得GaN類(lèi)半導(dǎo)體層形成外延生長(zhǎng)。

“404專(zhuān)利”的內(nèi)容

       提出專(zhuān)利權(quán)歸屬問(wèn)題而進(jìn)行訴訟的“404專(zhuān)利”，是將原料氣體封入藍(lán)寶石底板表面附近的方式之一。在生長(zhǎng)GaN類(lèi)半導(dǎo)體膜的底板(藍(lán)寶石底板等)表面沿水平方向通入原料氣體，同時(shí)為了將原料氣體固定在底板表面，沿垂直方向向底板表面通入非活性氣體。(根據(jù)專(zhuān)利公報(bào)上刊登的圖制作)

       中村修二就其在日亞化學(xué)工業(yè)工作時(shí)所發(fā)明專(zhuān)利的“正當(dāng)價(jià)格”與日亞化學(xué)工業(yè)展開(kāi)的訴訟中所涉及的GaN類(lèi)發(fā)光元件專(zhuān)利(專(zhuān)利第2628404號(hào)，以下稱(chēng)404專(zhuān)利)就是外延生長(zhǎng)GaN類(lèi)半導(dǎo)體層技術(shù)的相關(guān)專(zhuān)利。404專(zhuān)利是與在藍(lán)寶石基片表面附近封入原料氣體的技術(shù)。其特點(diǎn)是，在生長(zhǎng)GaN類(lèi)半導(dǎo)體膜的基片(藍(lán)寶石基片等)表面沿水平方向通入原料氣體，同時(shí)為了將原料氣體固定在基片表面，還沿垂直方向向基片表面通入非活性氣體。