三安光電4日公告披露稱，公司擬與廈門火炬高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)簽署《投資協(xié)議》，在該開發(fā)區(qū)投資建設(shè)LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目，項目總投資額100億元。同時在該開發(fā)區(qū)設(shè)立子公司廈門三安光電有限公司，注冊資本1000萬元。同時，三安光電將原計劃在蕪湖實施的光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項目挪回了公司大本營廈門。

公告顯示，該協(xié)議主要內(nèi)容由兩部分構(gòu)成：首先，公司在廈門火炬高新區(qū)民安大道以北，濱海東大道以西地塊投資建設(shè)LED藍、綠光外延片、芯片生產(chǎn)線，項目投資總額100億元，總規(guī)模200臺MOCVD(以2英寸54片為基數(shù)折算)。而首期投資就直接高達50億元，注冊資本20億元(分期到位)，經(jīng)營期限不少于20年;另外，首期啟動100臺MOCVD設(shè)備，首期項目建設(shè)期為一年，全部廠房及相關(guān)生產(chǎn)配套設(shè)施在兩年內(nèi)建成，其余100臺MOCVD待首期設(shè)備全部投入后啟動，不遲于2018年底到位并投入使用，否則廈門火炬開發(fā)區(qū)將有權(quán)取消尚未到位MOCVD設(shè)備的相應(yīng)補助。

       公告稱，董事會審議通過了公司與廈門火炬開發(fā)區(qū)管理委員會簽定《投資協(xié)議》的議案，決定在該開發(fā)區(qū)投資建設(shè)LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目。公告中提到的“相應(yīng)補助”，正是引起三安光電此番大動作的主要原因。廈門火炬開發(fā)區(qū)同意給予公司項目單臺設(shè)備(以2英寸54片為基數(shù)折算)補助金額500萬元，隨項目公司付款進度分期支付，補助上限為200臺。據(jù)此計算，200臺設(shè)備的補助金額達到10億元之巨。

另外，開發(fā)區(qū)還將在土地、稅收、科技獎勵、人才政策等方面給予三安光電一系列的扶持。在10億元現(xiàn)金補助、30億元合同金額以及其他政策組合扶持的誘惑下，三安光電將不久前計劃在蕪湖實施的光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項目(總投資40.76億元)挪回了廈門。

三安光電稱，蕪湖光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項目的實施地點由蕪湖經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)變更為廈門火炬高新區(qū)產(chǎn)業(yè)區(qū)。同時為便于該項目的實施、運營和管理，公司將在廈門新設(shè)全資子公司。蕪湖光電產(chǎn)業(yè)化(二期)項目計劃募投的28億元資金正是三安光電今年1月22日通過非公開發(fā)行股票募集的32.4億元中的一部分。而截至目前，公司尚未使用這筆募集資金。

三安光電表示，本次變更投資主體及實施地點有利于借助廈門光電產(chǎn)業(yè)區(qū)位優(yōu)勢降低公司營運成本，有利于公司長遠發(fā)展。

       另據(jù)，三安光電的2013年半年報顯示，公司下屬全資子公司MOCVD設(shè)備已超130臺處于滿產(chǎn)狀態(tài)。業(yè)內(nèi)人士表示，其芯片生產(chǎn)設(shè)備每臺價格已經(jīng)從幾年前的1000萬元人民幣降至目前的700萬左右，一臺設(shè)備就補助500萬可見廈門政府留住這個項目的決心。三安光電目前的芯片產(chǎn)能已經(jīng)能在全球范圍內(nèi)排前幾名，而這一項目全部投產(chǎn)后，公司芯片產(chǎn)能將擴大一倍多。