三安光電計(jì)劃增發(fā)募資不超過(guò)39 億元投資廈門光電產(chǎn)業(yè)化(二期)和通訊微電子項(xiàng)目(一期),我們看好后者砷化鎵和氮化鎵半導(dǎo)體兩條生產(chǎn)線的長(zhǎng)期前景,為三安打開(kāi)全新增長(zhǎng)空間。砷化鎵和氮化鎵在集成電路和軍工產(chǎn)業(yè)擁有舉足輕重地位,是國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金重點(diǎn)投資方向,而三安有望成為該領(lǐng)域全球龍頭。

我們預(yù)估三安15/16/17 年EPS 為0.9/1.25/1.57 元,當(dāng)前估值對(duì)應(yīng)34/24/19 倍,是電子股估值洼地。我們維持對(duì)“強(qiáng)烈推薦-A”評(píng)級(jí),上調(diào)目標(biāo)價(jià)到50 元。

LED 業(yè)務(wù)推動(dòng)業(yè)績(jī)高增長(zhǎng),MOCVD 高開(kāi)工率。三安14 年收入45.8 億元,增長(zhǎng)22.71%。公司170 臺(tái)MOCVD 除研發(fā)機(jī)臺(tái)外,其余全部開(kāi)滿,高開(kāi)工率一方面支撐收入增長(zhǎng),另一方面顯著拉升公司毛利率。三安全年毛利率率高達(dá)45.05%,較2013 年36.24%增長(zhǎng)近9 個(gè)百分點(diǎn),14 年三安季度毛利率逐季提升,Q4 更是高達(dá)53.4%。在包含了參股璨圓匯兌虧損和轉(zhuǎn)入可供出售金融資產(chǎn)確認(rèn)虧損0.75 億元之后,三安利潤(rùn)依然實(shí)現(xiàn)41.15%的高速增長(zhǎng)。

而公司1Q15 業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)加速到55%,高增長(zhǎng)持續(xù)。

以GaAs 和GaN 制造進(jìn)軍集成電路,打開(kāi)長(zhǎng)線增長(zhǎng)空間。未來(lái)三安光電將砷化鎵和氮化鎵等III-V 族半導(dǎo)體為核心打造集成電路產(chǎn)業(yè)。GaAs 主要用于通訊領(lǐng)域,主要以6 寸0.09-0.5 微米制程為主,目前全球市場(chǎng)容量約60 億美元,全球GaAs 晶圓產(chǎn)能約為200 萬(wàn)片/年,隨著4G 智能手機(jī)普及加速,支持多頻多模的砷化鎵PA 持續(xù)供不應(yīng)求。GaN 大功率、高頻率性能較硅和GaAs更加出色,主要應(yīng)用于軍事領(lǐng)域,目前市場(chǎng)容量大約2 億美元,GaN 需求將迅速在2020 年左右沖擊10 億美金大關(guān)。GaAs 和GaN 目前在國(guó)內(nèi)無(wú)6 寸廠,三安布局這兩大稀缺材料,穩(wěn)坐國(guó)內(nèi)龍頭地位。

增發(fā)布局化合物半導(dǎo)體,全球龍頭隱現(xiàn)。三安增發(fā)不超過(guò)2.35 億股募資不超過(guò)39 億元,除了投資23 億于廈門LED 外延片/芯片二期之外,更大的亮點(diǎn)在于年產(chǎn)30 萬(wàn)片GaAs 和年產(chǎn)6 萬(wàn)片GaN 6 寸生產(chǎn)線。三安在GaAs 產(chǎn)業(yè)鏈中的地位是是芯片制造商,與臺(tái)灣的穩(wěn)懋、宏捷類似。目前穩(wěn)懋是GaAs 芯片代工制造市場(chǎng)的龍頭,三安產(chǎn)線滿產(chǎn)后規(guī)模比穩(wěn)懋現(xiàn)有產(chǎn)線規(guī)模略大,全球產(chǎn)能市占率約在15-20%之間。而全球GaN第一代產(chǎn)品2010 年才剛剛上市,目前軍事應(yīng)用占比約7 成,未來(lái)電源、電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能電池、通訊基站等市場(chǎng)前途無(wú)量。三安在國(guó)內(nèi)率先進(jìn)入6 寸GaN 領(lǐng)域,與國(guó)際巨頭同臺(tái)。

投資建議。我們看好三安光電在LED 芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位,公司持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),產(chǎn)能利用率提升將推動(dòng)公司收入和利潤(rùn)的疊加成長(zhǎng)。公司在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先布局化合物半導(dǎo)體,未來(lái)增長(zhǎng)空間巨大。我們上調(diào)三安光電15/16/17 年EPS 到0.9/1.25/1.57 元,維持“強(qiáng)烈推薦-A”評(píng)級(jí),上調(diào)目標(biāo)價(jià)至50 元。

風(fēng)險(xiǎn)因素:化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)布局進(jìn)度低于預(yù)期,LED 芯片業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)加劇。