因開發(fā)藍(lán)色LED而獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎的美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（UCSB）教授中村修二，在2015年7月24日于東京舉行的研討會“GaN掀起能源革命”上發(fā)表演講，說出了上面那句話。中村強(qiáng)調(diào)，通過在發(fā)光層采用InGaN（氮化銦鎵）的“雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造”，才實(shí)現(xiàn)了達(dá)到實(shí)用水平亮度的藍(lán)色LED。

 

 

　　中村介紹稱，在利用InGaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造來提高藍(lán)色LED的亮度之前，藍(lán)色LED必須將GaN晶體內(nèi)被稱作“位錯”的晶體缺陷的密度減少至103個/cm2的程度才能提高亮度。而采用InGaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造之后，位錯密度即便高達(dá)109個/cm2的程度，也能高亮度發(fā)光。InGaN的這一特性對于實(shí)現(xiàn)藍(lán)色LED，以及之后的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器、藍(lán)色半導(dǎo)體激光器都作出了貢獻(xiàn)，因此中村將其評價為“奇跡般的材料”。

 

　　關(guān)于InGaN在晶體缺陷較多時也能高亮度發(fā)光的原因，中村稱“與In的局域效應(yīng)有關(guān)”，并提到了日本東北大學(xué)教授秩父重英（發(fā)布研究成果時任職于筑波大學(xué)）的研究成果。

 

　　中村指出，雖然InGaN在高亮度藍(lán)色LED的實(shí)現(xiàn)中起到了重要作用，但很少有報道宣傳這種材料的重要性。中村還對日本媒體報道2014年諾貝爾物理學(xué)獎獲獎消息時的表述方式提出了質(zhì)疑，他說，“不僅是日本的電視及報紙等媒體，就連日本的學(xué)術(shù)雜志及專業(yè)雜志也都說是‘赤崎和天野開發(fā)出了藍(lán)色LED，中村成功實(shí)現(xiàn)了藍(lán)色LED的量產(chǎn)化’。在諾貝爾基金會的發(fā)布資料中，并沒有這樣的內(nèi)容，我并非只是做了量產(chǎn)化方面的工作。報道有失偏頗，令人非常遺憾”。