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第十一屆國際氮化物半導體學術(shù)研討會在京開幕

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2015-08-31 來源:中國半導體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):607
  2015年8月31日,第十一屆國際氮化物半導體學術(shù)研討會(2015 11th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-11)在北京開幕。國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲和聯(lián)盟研發(fā)執(zhí)行主席李晉閩受邀出席,并與大會演講嘉賓就第三代半導體材料發(fā)展進行深入交流。

第十一屆國際氮化物半導體學術(shù)研討會現(xiàn)場
 
  據(jù)了解,ICNS會議是全球氮化物半導體研究最主要的學術(shù)研討會,每兩年在世界各國輪流舉辦一次,會議涵蓋了氮化物系列半導體材料的晶體生長與外延、器件制造與性能、新結(jié)構(gòu)與物理機理、仿真與分析等領(lǐng)域。
 
  今年的會議設(shè)在在北京召開,會議為期五天(8月30日至9月4日),吸引了世界各國從事氮化物半導體研究的頂尖團隊和研究人員參加(國際上做氮化物的基本都來了,據(jù)說因為閱兵,日本的很多沒來)。本次會議官方注冊代表680多人,記者現(xiàn)場觀察參會人員有千人之多。并且,會場外走廊里設(shè)有小型展區(qū),近30家機構(gòu)參與設(shè)展。
 
  8月31日上午共有三個大會報告:第一位:諾貝爾物理學獎得主天野浩(Hiroshi Amano)帶來《用LED點亮地球》主題報告;第二位:諾貝爾物理學獎得主中村修二(Shuji Nakamura)帶來《InGaN基雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)高亮度藍光LED進展及未來照明》 主題報告;第三位:詹姆斯·史派克(James Speck)帶來《理解效率極限與GaN基LED內(nèi)部機制》。

國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲(第一排左一)和聯(lián)盟研發(fā)執(zhí)行主席李晉閩(第二排右二)受邀出席第十一屆國際氮化物半導體學術(shù)研討會,與諾貝爾物理學獎得主天野浩(Hiroshi Amano)、中村修二(Shuji Nakamura)及業(yè)界專家交流后合影。
       作為北京全國科技創(chuàng)新建設(shè)、京津冀協(xié)同創(chuàng)新合作的一項重要工作,2015年4月22日,北京市科委、順義區(qū)政府以及國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同簽署了《北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地建設(shè)戰(zhàn)略合作協(xié)議》,由首都科技集團、北京順義科創(chuàng)集團、金沙江創(chuàng)業(yè)投資管理有限公司、北京半導體照明科技促進中心以及企業(yè)以“PPP”模式共同出資共建北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地(下簡稱“聯(lián)合創(chuàng)新基地”),也得到了科技部及各方的支持。協(xié)議簽署一個月以來,基地重點推動研發(fā)平臺和服務平臺的建設(shè),吸引荷蘭代爾夫特理工大學與基地共建中國研究院,以國際一流的技術(shù)和人才支撐基地發(fā)展。同時為加速科技成果的孵化轉(zhuǎn)化,基地的服務平臺重點建設(shè)第三代半導體聯(lián)合創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心,支撐大眾創(chuàng)新萬眾創(chuàng)業(yè)。
 
       國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲作為北京第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地共建方代表介紹了聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)進展,經(jīng)過各方的努力已經(jīng)初步完成了基地兩個平臺+一個基金“2+1”的頂層設(shè)計,基本形成了京津冀協(xié)同創(chuàng)新,以及依托首都創(chuàng)新大聯(lián)盟開展跨界創(chuàng)新的共識,正在逐步建立南北呼應的主平臺,研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的全體系,重點突破的小核心,以及全球開放的協(xié)同創(chuàng)新大格局的第三代半導體材料聯(lián)合創(chuàng)新的格局。作為一個全球開放創(chuàng)新平臺的重要組成部分,荷蘭代爾夫特理工大學將重點圍繞電子工程、航空航天、能源工程方面參與平臺建設(shè)。同時,我們還將引入國內(nèi)優(yōu)勢互補的研發(fā)機構(gòu),要探索市場導向,企業(yè)為主體,多元投資,開放共享的研發(fā)模式。采取盤活各類研發(fā)與市場資源,運用市場化的管理機制深入合作,真正做到形成北京作為全國科技創(chuàng)新的凝聚輻射效應,也能夠為順義區(qū)結(jié)構(gòu)調(diào)整、創(chuàng)新發(fā)展做出貢獻。隨著“大眾創(chuàng)新、萬眾創(chuàng)業(yè)”如雨后春筍般的蓬勃發(fā)展,作為有顯著低碳智能化技術(shù)特征的第三代半導體技術(shù),是支撐創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的技術(shù)源泉。以聯(lián)盟牽頭建設(shè)孵化器有它自身的特點,一是在技術(shù)方面擁有原創(chuàng)性的技術(shù)、專利以及中試產(chǎn)業(yè)化平臺;二是聯(lián)盟企業(yè)的市場渠道與應用需求。三是有產(chǎn)業(yè)基金、VC、上市公司以及全產(chǎn)業(yè)鏈的金融服務支撐平臺的服務。我們要建設(shè)以市場為導向、平臺技術(shù)與金融服務支撐、產(chǎn)業(yè)化出口的支撐中關(guān)村大街眾創(chuàng)空間的一個孵化器。大家已經(jīng)看到了第三代半導體材料已經(jīng)顯現(xiàn)出順應時代發(fā)展的趨勢,第三代半導體材料及應用聯(lián)合創(chuàng)新基地將承載著滋育人才、創(chuàng)新發(fā)展、重塑世界格局的使命。
 
 

 
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