【中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)專稿】2015年9月14日，由蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司承擔(dān)，北京大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所、中山大學(xué)、杭州士蘭微電子有限公司以及盈威力（上海）新能源科技有限公司參加的“十二五”863計劃“大尺寸硅襯底氮化鎵基電力電子材料生長技術(shù)研究”課題順利通過科技部第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的中期檢查。
科技部第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的中期檢查現(xiàn)場會
科技部第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的中期檢查現(xiàn)場
科技部第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的中期檢查現(xiàn)場會
該課題緊跟國際產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，在大尺寸（6英寸及以上）Si襯底上制備出平整、無龜裂的高質(zhì)量GaN基高壓外延材料，外延片翹曲小于50um，均勻性好于1%，垂直擊穿電壓超過800V。此外課題組開發(fā)了CMOS兼容工藝，研制成功600V/10A的二極管和三極管等高壓開關(guān)器件；通過探索影響器件性能和可靠性的關(guān)鍵物理機制，對所制作的器件進行應(yīng)用驗證和產(chǎn)品開發(fā)，實現(xiàn)了轉(zhuǎn)換效率>97%的DC-DC升壓變換器。
科技部第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的中期檢查現(xiàn)場
蘇州能訊作為課題承擔(dān)單位，在課題執(zhí)行以來，組織課題參加單位多次開展課題組內(nèi)部研討，學(xué)習(xí)國家科技經(jīng)費管理要求和最新文件，獲得了專家的好評，為課題的順利實施奠定了良好的基礎(chǔ)。
