中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊：由江西省昌大光電科技有限公司承擔(dān)863計劃“高頻高功率電子器件用大尺寸Si襯底GaN基外延材料生長技術(shù)”課題,通過一年多的努力，取得了階段性的成果，2015年9月15日，順利通過了由第三代半導(dǎo)體材料項目管理辦公室組織的課題中期檢查。
課題組在降低大尺寸Si襯底上生長GaN薄膜的位錯密度、均勻性和整片外延的翹曲度，提升GaN薄膜質(zhì)量方面取得了系列進展，同時對提高GaN器件性能等面做了系統(tǒng)的工藝探索工作，為最終完成課題任務(wù)指標(biāo)打下了很好的基礎(chǔ)。迄今，該課題8英寸Si襯底上生長的GaN薄膜的厚度為3微米，8英寸外延片的整片翹曲度小于50微米，GaN薄膜位錯密度達到1×108 cm-2，（002）XRD掃描半高寬低于350 arcsec，（102）XRD掃描半高寬低于400 arcsec；所制作的HEMT遷移率達到2200 cm2/Vs，載流子面密度達到9e12/cm2，方塊電阻達到300Ω/sq。
