11月3日上午，為期三天的第十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2015）在深圳會展中心隆重舉行了開幕式。這是論壇告別深圳五年后，再次榮耀歸來。論壇緊扣時代發(fā)展脈搏與產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，以“互聯(lián)時代的LED+”為大會主題，探討產(chǎn)業(yè)發(fā)展大勢。

 

　　論壇期間舉辦的各類同期活動更可謂是一場場思想碰撞的精神盛宴。

 

　　3日下午，在論壇隆重召開之際，2015中國國際第三代半導體技術(shù)與應用高峰論壇在深圳會展中心五層玫瑰廳-1如期舉行，來自與第三代半導體相關(guān)的科研院所、研發(fā)機構(gòu)、大專院校、龍頭企業(yè)等代表也如約而至，共同探討第三代半導體發(fā)展、技術(shù)前沿與應用趨勢，為搶占國際半導體領(lǐng)域戰(zhàn)略制高點獻計獻策。

 

　　北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯(lián)合研究中心副主任沈波；香港科技大學教授陳敬教授共同主次了本次論壇。

 

 

　　北京大學物理學院楊學林做了“采用較大晶格失配引致應力控制技術(shù)在Si襯底生長高遷移率AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)”主題報告。

 

　　他表示，在目前的工作中，在低鋁含量AlGaN層上采用較大晶格失配引致應力控制技術(shù)在4英寸Si襯底上生長高質(zhì)量GaN層。應用該技術(shù)可實現(xiàn)高遷移率AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，在單電荷密度為8.4×1012 cm-2下電子遷移率為2040cm2 /(V·s)。研究結(jié)果為低成本高性能的硅基氮化鎵功率器件的制造提供很大的潛在可能性。