隨著國務院印發(fā)《“寬帶中國”戰(zhàn)略及實施方案》，信息消費已成為我國備受矚目的熱點話題。經(jīng)過多年的發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)成為了國民經(jīng)濟發(fā)展的創(chuàng)新引擎，下一代網(wǎng)絡發(fā)展的關(guān)鍵是帶寬問題，只有實現(xiàn)高速寬帶，下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動通信、物聯(lián)網(wǎng)、云計算才可能得到大發(fā)展。第三代半導體材料正是在這樣的背景下迅速發(fā)展起來的新型半導體材料。它具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等特點，正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。
 

 

　　2016年1月19日下午，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“第三代半導體聯(lián)盟”）與TD產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（以下簡稱“TD聯(lián)盟”）在北京裕龍國際酒店舉行了聯(lián)合推動第三代半導體在通訊領(lǐng)域中的應用戰(zhàn)略合作簽約儀式。第三代半導體聯(lián)盟理事長吳玲女士到現(xiàn)場參加了簽約，科技部試點聯(lián)盟聯(lián)絡組李新男秘書長見證了此次簽約并做了重要講話。
 

科技部試點聯(lián)盟聯(lián)絡組李新男秘書長

 

　　他指出此次簽約是國家試點聯(lián)盟聯(lián)絡組嘗試通過聯(lián)盟的橫向合作實現(xiàn)協(xié)同創(chuàng)新。聯(lián)盟本身就是一種新型的技術(shù)創(chuàng)新組織，這種創(chuàng)新組織最大的特點就是通過有法律約束的契約來實現(xiàn)協(xié)同創(chuàng)新。此次簽約超出了單個聯(lián)盟本身的創(chuàng)新活動，進行了跨領(lǐng)域、跨行業(yè)、跨學科的合作，是聯(lián)盟發(fā)展中一個非常重大的事件。在試點聯(lián)盟中開展這樣的活動，引導跨產(chǎn)業(yè)的合作是非常有意義且必要的。他希望這次簽約后大家能認真履約，圓滿完成合作任務，在新的形勢下創(chuàng)造出新的協(xié)同創(chuàng)新模式，推動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

 

 

　　此次簽約，第三代半導體聯(lián)盟與TD聯(lián)盟本著互惠互利、實現(xiàn)雙贏的目標，致力于合作推動第三代半導體與新一代移動通訊在技術(shù)、產(chǎn)品、應用領(lǐng)域的融合發(fā)展，共同推動政府重大項目，并就標準、商業(yè)模式、應用推廣進行合作。簽約雙方將利用各自的資源和條件開展長期、穩(wěn)定的合作，通過資源共享、優(yōu)勢互補與業(yè)務創(chuàng)新，互惠互利、共同為客戶提供更優(yōu)質(zhì)、更全面的智能移動寬帶應用服務，推動我國新一代信息產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)跨越式發(fā)展。

 

　　第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以GaN、SiC和ZnO為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發(fā)展的重點新材料，正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

 

　　第三代半導體材料及器件的突破將引發(fā)科技變革并重塑國際半導體產(chǎn)業(yè)格局。美、日、歐、韓等發(fā)達國家高度重視并已部署國家計劃搶占戰(zhàn)略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，在政府的持續(xù)部署支持下，我國材料研發(fā)的整體水平與國際上差距不大，如在第三代半導體材料第一個產(chǎn)業(yè)化的應用方面--半導體照明已經(jīng)在關(guān)鍵技術(shù)上實現(xiàn)突破，創(chuàng)新應用國際領(lǐng)先；在第三代半導體電子器件應用方面，在移動通訊、光伏逆變、雷達領(lǐng)域已有少量示范應用。

 

 

　　2015年9月9日，在國家科技部、工信部、北京市科委等支持下，由第三代半導體相關(guān)的科研機構(gòu)、大專院校、龍頭企業(yè)45家單位自愿發(fā)起籌建了“第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”。聯(lián)盟的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈，促進產(chǎn)學研合作以及跨界應用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設，培育形成一批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業(yè)群，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，抓住換道超車的歷史性機遇，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，搶占在國際第三代半導體上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點，重構(gòu)全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。

 

　　聯(lián)盟理事會邀請原科技部曹健林副部長出任顧問委員會主任，南京大學鄭有炓院士為名譽理事長。鄭有炓院士、北京大學甘子釗院士、中科院半導體所李樹深院士、西安電子科大郝躍院士、華南理工大學曹鏞院士、蘇州大學李述湯院士、復旦大學許寧生院士等28位委員受聘為技術(shù)委員會專家。