超越量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備單一銷售戰(zhàn)略，昭信半導(dǎo)體以技術(shù)工程、提供全面解決方案、專業(yè)定制服務(wù)為核心，致力于MOCVD設(shè)備的自主研制，取得了多項(xiàng)核心技術(shù)專利。利用在加熱系統(tǒng)及真空反應(yīng)系統(tǒng)技術(shù)上，多年積累的研制經(jīng)驗(yàn)，在常規(guī)GaN MOCVD設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)上，成功開發(fā)出高溫MOCVD設(shè)備技術(shù)。

 

　　三年前為中電集團(tuán)旗下研究所改造了MOCVD設(shè)備，目前該設(shè)備可長期在1300°C高溫下穩(wěn)定運(yùn)行。一年前，應(yīng)在光電材料研究領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先地位的某高校需求，提供了一臺(tái)用于氧化物外延生長的MOCVD設(shè)備。該設(shè)備利用獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效防止了電爐等零件的高溫氧化?？砷L期穩(wěn)定工作在1000°C高溫，為客戶從事氧化物外延提供了更多的研究選擇。也形成了昭信半導(dǎo)體獨(dú)特的氧化物CVD設(shè)備技術(shù)。

 

　　目前，昭信半導(dǎo)體正在推進(jìn)量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備高溫技術(shù)，目標(biāo)是將量產(chǎn)型MOCVD設(shè)備穩(wěn)定工作溫度提高超過1400°C。同時(shí)，在自主MOCVD設(shè)備上展開的AlN工藝研究也進(jìn)展順利，（002）面XRD小于300arcs，（102）面XRD小于500arcs，所生長的薄膜晶體質(zhì)量良好。當(dāng)前深紫外LED是高利市場(chǎng)，但在此領(lǐng)域國內(nèi)尚未獲得有效突破，一個(gè)主要原因就是現(xiàn)有MOCVD設(shè)備不能滿足紫外產(chǎn)品的工藝運(yùn)行，無法實(shí)現(xiàn)AlN、高摻Al的高質(zhì)量外延。相信在不久的將來，昭信半導(dǎo)體的高溫MOCVD設(shè)備技術(shù)，還將有更多新成果展示，將能推動(dòng)深紫外LED技術(shù)的新發(fā)展。