2016年11月15日至17日，中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際論壇（以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”）在北京國際會議中心舉行。其中，大會從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個專場重點討論。

　　11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置的專題分會，由山東大學(xué)校長、教授張榮，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯(lián)合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會。會議現(xiàn)場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！

 

　　會上，來自美國弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred C. LEE首先以“GaN引領(lǐng)變革”為題開啟一天的精彩日程。

　　Fred C. Lee教授1968年獲得臺灣國立成功大學(xué)電機工程學(xué)士學(xué)位，并分別于1972年和1974年獲得杜克大學(xué)的電機工程碩士及博士學(xué)位。Lee博士現(xiàn)為弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授，兼任弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子系統(tǒng)中心（CPES，卓越的電力電子研究方面的學(xué)術(shù)中心）創(chuàng)始人及主任。作為力電子系統(tǒng)中心主任，Lee博士領(lǐng)導(dǎo)了一個結(jié)合研究，技術(shù)發(fā)展，教育宣傳，產(chǎn)業(yè)合作及技術(shù)轉(zhuǎn)移于一體的項目。中心專注于能夠迎合產(chǎn)業(yè)需求的研究，并使產(chǎn)業(yè)能夠得利于中心的研究及成果。

 

　　Lee博士的主要研究領(lǐng)域包括高頻功率轉(zhuǎn)換，磁學(xué)和電磁干擾，分布式電源系統(tǒng)，可再生能源，電能質(zhì)量，高密度電子封裝和集成，以及建模與控制。Lee博士擁有77個美國專利，發(fā)表了277篇期刊文章及702篇審閱技術(shù)論文。他在弗吉尼亞理工大學(xué)任職期間，Lee博士已指導(dǎo)過80名博士生和89名碩士生畢業(yè)。根據(jù)Microsoft H index指數(shù)，Lee博士被全球超過250萬工程學(xué)作者引用過，因此成為最佳三位被引用作者之一。

 

　　他在會上表示，目前在功率電子產(chǎn)品的生產(chǎn)中，必須考慮品質(zhì)和可靠性，重點是實現(xiàn)高效率、高功率密度和低成本。這個領(lǐng)域未來的發(fā)展將會與功率器件、材料和制造技術(shù)的進(jìn)展緊密相關(guān)。隨著寬帶隙功率器件的最新進(jìn)展，相信交換器的產(chǎn)生將會在很大程度上影響以上三個方面。

 

　　很明顯，對于任何設(shè)計，如果簡單地用WBG替換硅器件，將會獲得效率的提高。盡管這是一個很大的貢獻(xiàn)，但是僅僅停留于此對WBG不公平。WBG器件能夠在更高頻率下工作。因此，可以采用WBG將器件尺寸降低5-10倍，并且在一些應(yīng)用中已經(jīng)實現(xiàn)。僅僅停留于此，不能充分發(fā)揮WBG的潛力。

 

　　設(shè)計與現(xiàn)有的硅器件相比，轉(zhuǎn)換頻率為10X，20X甚至50X的轉(zhuǎn)換器，是充滿挑戰(zhàn)性的。某些這種的設(shè)計不僅能夠提高性能，并且能夠在生產(chǎn)中減少勞動量。