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第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議即將啟程   

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2017-07-25 來(lái)源:中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):588
   8月10日-12日,由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)和中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)主辦,廣東省科學(xué)院、廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟承辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司協(xié)辦的第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議將在青海省會(huì)西寧召開(kāi)。
 
  近年來(lái),寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一,國(guó)際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn),基于寬禁帶半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè),并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。
 
  第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的相互合作和交流。
 
  強(qiáng)大的嘉賓團(tuán)加上高質(zhì)量的內(nèi)容,將帶來(lái)一場(chǎng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的一場(chǎng)別開(kāi)生面的交流盛會(huì),也為本屆會(huì)議凝聚了超高的人氣。值得一提的是,本屆嘉賓陣容星光熠熠,超高規(guī)格,其中原國(guó)家科學(xué)技術(shù)部副部長(zhǎng)曹健林,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授甘子釗,中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓將領(lǐng)銜擔(dān)任名譽(yù)主席。同時(shí)大會(huì)更是集結(jié)了來(lái)自中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)工程院的多位院士,以及全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)力量共同坐鎮(zhèn),為大會(huì)提供強(qiáng)有力的支持。
 
  大會(huì)也受到高度關(guān)注,不僅收到了大批高質(zhì)量的論文,而且各大科研機(jī)構(gòu)、高校、名企也積極派代表報(bào)名參會(huì)。據(jù)組委會(huì)介紹,截止日前,已有投稿170余篇,大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告10篇,分會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告近40篇。
 
  氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)及應(yīng)用正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地,被認(rèn)為或?qū)⒁l(fā)科技變革并重塑?chē)?guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。從報(bào)告內(nèi)容來(lái)看,圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)維度都將有重量級(jí)的報(bào)告呈現(xiàn)。既有寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動(dòng)向,亦有碳化硅、氮化鎵材料,以及器件等的最新研究進(jìn)展及發(fā)展方向,將以開(kāi)闊的視野展現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的現(xiàn)在與未來(lái),非常令人期待。
 
  實(shí)際上,為推動(dòng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展,加強(qiáng)交流與協(xié)同創(chuàng)新,由中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)發(fā)起并主辦、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所承辦的第一屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議于2015年10月31日-11月2日在蘇州成功舉行,參會(huì)規(guī)模近500人。
 
  2014年5月在揚(yáng)州召開(kāi)的13屆全國(guó)MOCVD會(huì)議期間,會(huì)議主辦方中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)時(shí)任主要領(lǐng)導(dǎo)深刻感受到寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì),并意識(shí)到后續(xù)廣闊發(fā)展前景,決定推動(dòng)依托中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)成立一個(gè)專業(yè)委員會(huì),以搭建一個(gè)能持續(xù)穩(wěn)定推動(dòng)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展的平臺(tái)。經(jīng)過(guò)20個(gè)月的籌備,最后報(bào)中國(guó)科協(xié)備案,成立了全國(guó)性寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)組織--中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì),并于2015年12月11日在廣東省東莞市隆重舉行成立儀式暨首屆寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)研討會(huì),來(lái)自國(guó)內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者進(jìn)行了兩天的學(xué)術(shù)交流。
 
  2016年在延吉召開(kāi)的14屆全國(guó)MOCVD 會(huì)議期間,“寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)”與“電子材料學(xué)分會(huì)”聯(lián)合開(kāi)會(huì)討論決定:全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議自第二屆開(kāi)始將由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)和中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)共同舉辦;第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議定于2017年8月10日-8月12日在青海西寧市舉行。
 
  當(dāng)前,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的壟斷,被認(rèn)為是“換道超車(chē)”的重要發(fā)展窗口期,我國(guó)也在積極推進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。深信這次會(huì)議必將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。
 
 一、大會(huì)主要日程
西寧會(huì)大會(huì)日程
 
  二、大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告:
  鄭有炓 中國(guó)科學(xué)院院士,南京大學(xué)教授—— 寬禁帶半導(dǎo)體若干發(fā)展新動(dòng)向
  陶緒堂 山東大學(xué)教授——β- Ga2O3寬禁帶半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)和器件應(yīng)用
  彭俊彪 華南理工大學(xué)教授——高遷移率氧化物半導(dǎo)體顯示材料的科學(xué)與技術(shù)
  徐    科 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所研究員——氮化鎵單晶材料生長(zhǎng)與應(yīng)用研究進(jìn)展
  葉志鎮(zhèn) 浙江大學(xué)教授——ZnO薄膜研究新進(jìn)展與LED光效提升研究
  陳小龍 中國(guó)科學(xué)院物理所研究員——碳化硅晶體新效應(yīng)、晶體生長(zhǎng)和產(chǎn)業(yè)化
  盛   況 浙江大學(xué)教授——碳化硅電力電子器件進(jìn)展及展望
  康俊勇 廈門(mén)大學(xué)教授——多場(chǎng)調(diào)控AlGaN量子結(jié)構(gòu)及其在紫外光源的應(yīng)用
  陳    敬 香港科技大學(xué)教授——GaN功率集成電路技術(shù)
  蔡樹(shù)軍  中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所研究員——GaN微波器件最新進(jìn)展
 
  三、大會(huì)分會(huì)場(chǎng)主題:
 
  1、材料生長(zhǎng)(氮化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、SiC、金剛石等)
       2、材料物性和表征方法(光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等)
       3、光電子器件及其應(yīng)用(LED、LD、光電探測(cè)器等)
       4、電子器件及其應(yīng)用(射頻電子器件、功率電子器件等)
       5、新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導(dǎo)體、二維寬禁帶半導(dǎo)體、有機(jī)寬禁帶半導(dǎo)體等)
     
      四、會(huì)議注冊(cè)費(fèi):
 
  1. 一般代表(A類(lèi)票):
 
  2800元(含論文集、日程等會(huì)議資料及會(huì)議期間相關(guān)服務(wù))

      2. 學(xué)生代表(B類(lèi)票):
 
  2300元(與一般代表相同會(huì)議待遇,但須提交相關(guān)證件)

      五、注冊(cè)費(fèi)繳費(fèi)方式:
 
  1.通過(guò)銀行匯款:
 
  開(kāi)戶行:中國(guó)銀行北京科技會(huì)展中心支行
 
  賬號(hào):336356029261
 
  名稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

      2.現(xiàn)場(chǎng)繳費(fèi)(接受現(xiàn)金和刷卡)
 
  六、會(huì)議信息及聯(lián)系人
 
  1. 會(huì)議官網(wǎng):
 
  2. 會(huì)議酒店:青海西寧萬(wàn)達(dá)嘉華酒店
 
  組委會(huì)提供會(huì)議協(xié)議酒店,以滿足參會(huì)代表的不同需求。會(huì)議召開(kāi)期間,正值旅游旺季,房源緊張,請(qǐng)您合理安排好時(shí)間,自行與酒店提前聯(lián)系預(yù)定,并聲明是參加“第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議”的代表,住宿費(fèi)用自理。
 
  備注:各酒店享有會(huì)議特別折扣的客房數(shù)量有限,請(qǐng)盡早預(yù)訂。享有會(huì)議折扣房?jī)r(jià)的客房售完時(shí),一些酒店可能還保留部分原價(jià)客房以供預(yù)訂。
 
  3. 會(huì)議聯(lián)系人:
 
  論文征集:趙維  龔政
 
  T:020-61086425-8004  M:18840341159  E:291318252@qq.com
 
  參會(huì)咨詢:
 
  劉輝   T:010-82381880     E:liuh@china-led.net
 
  張亞芹 T:010-82387600轉(zhuǎn)655,zhangyq@china-led.net
 
  商務(wù)合作:
 
  張威威T:010-82387380   M:13681329411    E:zhangww@china-led.net
 
  賈欣龍T:010-82387430   M:18310277858    E:jiaxl@china-led.net
 
  許薊鴻 T:010-82387600轉(zhuǎn)505   M:13466648667     E:xujh@china-led.net
 
  大會(huì)熱烈歡迎半導(dǎo)體專業(yè)領(lǐng)域的專家、學(xué)者及相關(guān)行業(yè)的企事業(yè)單位參會(huì)交流。
 
  報(bào)名參會(huì)鏈接:http://www.wbschina.cn/wbs/guide.asp?id=78
 
  

 
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