2017年8月10日-12日,由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)和中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)主辦,廣東省科學(xué)院、廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟承辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司協(xié)辦的第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議將在青海省會(huì)西寧召開(kāi)。
近年來(lái),寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)略制高點(diǎn)之一,國(guó)際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點(diǎn),基于寬禁帶半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè),并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。
第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開(kāi)展廣泛交流,促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的相互合作和交流。強(qiáng)大的嘉賓團(tuán)加上高質(zhì)量的內(nèi)容,將帶來(lái)一場(chǎng)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的一場(chǎng)別開(kāi)生面的交流盛會(huì),也為本屆會(huì)議凝聚了超高的人氣。值得一提的是,本屆嘉賓陣容星光熠熠,超高規(guī)格,其中原國(guó)家科學(xué)技術(shù)部副部長(zhǎng)曹健林,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授甘子釗,中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓將領(lǐng)銜擔(dān)任名譽(yù)主席。同時(shí)大會(huì)更是集結(jié)了來(lái)自中國(guó)科學(xué)院、中國(guó)工程院的多位院士,以及全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)力量共同坐鎮(zhèn),為大會(huì)提供強(qiáng)有力的支持。
氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)及應(yīng)用正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地,被認(rèn)為或?qū)⒁l(fā)科技變革并重塑國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。從會(huì)議設(shè)置來(lái)看,開(kāi)幕大會(huì)特邀南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院鄭有炓院士、浙江大學(xué)盛況教授、中科院物理所研究員陳小龍、廈門大學(xué)康俊勇教授,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所蔡樹(shù)軍所長(zhǎng)做特邀報(bào)告;閉幕大會(huì)還特邀了浙江大學(xué)葉志鎮(zhèn)教授、華南理工大學(xué)彭俊彪教授、山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陶緒堂教授、中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員、香港科技大學(xué)陳敬教授從不同研究領(lǐng)域分享前沿研究。
除了開(kāi)閉幕大會(huì)以外,還設(shè)置5個(gè)分會(huì)場(chǎng),圍繞材料生長(zhǎng)、材料物性表征及仿真、LED及照明技術(shù)電力電子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件等不同主題進(jìn)行深入探討。從分會(huì)報(bào)告內(nèi)容來(lái)看,圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)維度都將有重量級(jí)的報(bào)告呈現(xiàn)。既有寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動(dòng)向,亦有碳化硅、氮化鎵材料,以及器件等的最新研究進(jìn)展及發(fā)展方向,將以開(kāi)闊的視野展現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的現(xiàn)在與未來(lái),非常令人期待。
大會(huì)也受到業(yè)界高度關(guān)注,不僅收到了大批高質(zhì)量的論文,而且各大科研機(jī)構(gòu)、高校、名企也積極派代表報(bào)名參會(huì)。據(jù)組委會(huì)介紹,截止日前,已收到投稿170余篇,大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告10篇,分會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告40余篇。
當(dāng)前,國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的壟斷,被認(rèn)為是“換道超車”的重要發(fā)展窗口期,我國(guó)也在積極推進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。深信這次會(huì)議必將對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動(dòng)作用。
以下是活動(dòng)最新日程:(備注:最終議程以活動(dòng)當(dāng)天為準(zhǔn))

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備注:最終議程以活動(dòng)當(dāng)天為準(zhǔn)。