簡(jiǎn)訊:8月10,歷經(jīng)兩年的精心籌備,第二屆全國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會(huì)議在西寧萬(wàn)達(dá)嘉華酒店盛大開(kāi)幕。本屆會(huì)議由中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)和中國(guó)電子學(xué)會(huì)電子材料學(xué)分會(huì)主辦,廣東省科學(xué)院、廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟承辦,北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司協(xié)辦。

大會(huì)主席、北京大學(xué)教授張國(guó)義, 廣東省科學(xué)院副院長(zhǎng)劉敏, 大會(huì)主席、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)吳玲, 中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)賈明星先后為大會(huì)致開(kāi)幕詞。北京大學(xué)沈波教授主持開(kāi)幕式,與來(lái)自全國(guó)各地各大科研機(jī)構(gòu)、高校、名企500余名參會(huì)代表出席本次會(huì)議。

在大會(huì)特邀報(bào)告環(huán)節(jié),中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓分享了“寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動(dòng)向”專題報(bào)告;中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所研究員蔡樹(shù)軍分享了“GaN微波器件最新進(jìn)展”主題報(bào)告;浙江大學(xué)教授盛況帶來(lái)了“碳化硅電力電子器件研究新進(jìn)展”報(bào)告;中科院物理所研究員陳小龍則帶來(lái)了“寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體材料研究及產(chǎn)業(yè)化”主題報(bào)告;山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任陶緒堂教授帶來(lái)了“寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料與器件研究進(jìn)展”。
在為期三天的密集學(xué)術(shù)報(bào)告里,火熱的話題、強(qiáng)大的嘉賓團(tuán)加上高質(zhì)量的內(nèi)容,為本屆會(huì)議凝聚了超高的人氣,大會(huì)不僅收到了大批高質(zhì)量的論文。根據(jù)大會(huì)日程,開(kāi)、閉幕大會(huì)特邀報(bào)告環(huán)節(jié),各設(shè)置了五大特邀報(bào)告。期間,還安排了兩場(chǎng)深度對(duì)話討論,一是對(duì)深紫外光電材料與器件發(fā)展趨勢(shì)討論,二是對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體電子器件發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行討論。
同時(shí),還設(shè)置5個(gè)分會(huì)場(chǎng),邀請(qǐng)了135個(gè)主題報(bào)告。圍繞材料生長(zhǎng)、材料物性表征及仿真、LED及照明技術(shù)電力電子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件等不同主題進(jìn)行前沿研究分享和深度交流。從大會(huì)報(bào)告內(nèi)容設(shè)置來(lái)看,圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等多個(gè)維度都有重量級(jí)的報(bào)告呈現(xiàn)。既有寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動(dòng)向,亦有碳化硅、氮化鎵材料,以及器件等的最新研究進(jìn)展及發(fā)展方向,多維度呈現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新動(dòng)態(tài)。并將以開(kāi)闊的視野展現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的現(xiàn)在與未來(lái)。