以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)、高抗輻射能力等特點(diǎn)，市場(chǎng)應(yīng)用潛力巨大。預(yù)計(jì)到2020年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國(guó)防三大領(lǐng)域催生上萬(wàn)億元潛在市場(chǎng)，而碳化硅和氮化鎵器件很可能成為推動(dòng)整個(gè)電力電子、光電子和微波射頻三大領(lǐng)域效率提升和技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵動(dòng)力之一。第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信中應(yīng)用潛力巨大，這一特定領(lǐng)域的突破也標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。

 

　　2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京市順義區(qū)人民政府主辦的2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）將在北京·順義·首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店隆重舉行。并與SSL國(guó)際系列論壇在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)--第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇同期同地舉行。

 

　　大會(huì)圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場(chǎng)分會(huì)重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。

 

　　其中，第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)分會(huì)主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及其在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加會(huì)議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。

 

　　中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長(zhǎng)、研究員級(jí)高工蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千將共同擔(dān)任分會(huì)主席。蔡樹軍主要研究領(lǐng)域?yàn)楣?，砷化鎵和氮化鎵等新型材料器件和電路。張乃千?007年回國(guó)創(chuàng)辦能訊半導(dǎo)體并任總裁。能訊是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體氮化鎵電子器件設(shè)計(jì)與制造商業(yè)企業(yè)，自主進(jìn)行氮化鎵外延生長(zhǎng)、晶圓制造、內(nèi)匹配與封裝等。

 

　　同時(shí)分會(huì)委員團(tuán)吸納中科院微電子研究所副所長(zhǎng)劉新宇、中興通訊股份有限公司總工劉建利、西安電子科技大學(xué)教授張進(jìn)成、荷蘭安譜隆有限責(zé)任公司晶圓級(jí)可靠性專家陶國(guó)橋等眾多行業(yè)優(yōu)秀專家，為分會(huì)提供堅(jiān)實(shí)的支持。

 

　　此外，內(nèi)容豐富的報(bào)告也是看點(diǎn)，其中英國(guó)布里斯托大學(xué)教授兼設(shè)備熱成像和可靠性中心主任Martin KUBALL將從國(guó)際視角分享其最新研究成果，Martin Kuball當(dāng)下在英國(guó)領(lǐng)導(dǎo)的項(xiàng)目是關(guān)于開發(fā)超高功率金剛石基氮化鎵射頻（GaN-on-Diamond RF）電子設(shè)備。還有來(lái)自中國(guó)電子科技集團(tuán)等國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜曳窒砀髯缘难芯砍晒?，非常值得期待?/div>