以硅(Si)、鍺(Ge)為代表的第一代半導體，以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代半導體在人類社會的不同角落無不閃爍著它的光輝。隨著科技需求的日益增加，具有寬禁帶等優(yōu)點的第三代半導體發(fā)展迅猛，在功率半導體器件等領(lǐng)域應(yīng)用前景被看好。

2017年11月1日，由北京市順義區(qū)人民政府、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）和國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。開幕式上，美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。

吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)非常成熟，成本非常低，整個性能也非常好，即便性能已經(jīng)很飽和，但它的超級黏結(jié)度，會繼續(xù)改進它的一些應(yīng)用。當然，不管是碳化硅還是硅，它們的成本都會降低，同時可以大規(guī)模生產(chǎn)。

結(jié)合一些案例，吳毅鋒具體對比介紹了硅和硅基氮化鎵的不同性能表現(xiàn)，以及對產(chǎn)品的影響。他表示，早期的發(fā)展中，硅仍然是一個占據(jù)主導地位的材料，當前第三代半導體材料已經(jīng)取得了長足的進展，氮化鎵和碳化硅有不同的優(yōu)點，也應(yīng)用于不同的領(lǐng)域，并不是誰消滅誰。未來可以看到更多的機會，我們要逐漸降低氮化鎵和碳化硅的成本，我們的元件應(yīng)該有更好的效率和功率，這樣才能找到一個更加有效的解決方案。