第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。有數(shù)據(jù)顯示，紫外線LED應(yīng)用于光固化市場產(chǎn)值2021年將達(dá)1.95億美元，2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來到50~60%。紫外LED殺菌與凈化應(yīng)用的市場產(chǎn)值2021年將達(dá)2.57億美元。應(yīng)用的發(fā)展離不開技術(shù)的支撐，第三代半導(dǎo)體又將如何擁抱固態(tài)紫外市場？

 

　　2017年11月3日上午，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義區(qū)人民政府主辦的2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）之第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)分會(huì)在北京·順義·首都機(jī)場希爾頓酒店成功舉行。中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為本次分會(huì)提供了協(xié)辦支持。

 

　　分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會(huì)還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學(xué)教授三宅秀人、北京大學(xué)副教授許福軍、中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻、華中科技大學(xué)教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波和南京大學(xué)教授陸海共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA分享了高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展。日本三重大學(xué)教授三宅秀人做了“高溫退火濺射AlN薄膜質(zhì)量改善工藝研究”的報(bào)告，分享最新研究成果。

 

　　北京大學(xué)副教授許福軍帶來關(guān)于納米圖案藍(lán)寶石基板生長高質(zhì)量的AlN和AlGaN量子阱的報(bào)告。中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻做了納米圖案AlN/藍(lán)寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取的報(bào)告，分享了關(guān)于深紫外LED的光提取增強(qiáng)、深紫外發(fā)光二極管濺射AlN模板、AlGaN／AlN激光納米圖案化的AlN模板等研究成果。

 

　　華中科技大學(xué)教授陳長清做了用于深紫外LED的高質(zhì)量AlN和AlGaN 外延層的MOCVD生長的報(bào)告。

 

　　  紫外激光器具有復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和更高的電流密度對(duì)半導(dǎo)體材料也提出了更高的要求。沙特國王科技大學(xué)助理教授李曉航做了“基于藍(lán)寶石和B-III-N合金的III族氮化物深紫外激光器”的報(bào)告，分享了關(guān)于深紫外激光器的研究成果。中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒分享了具有倒反疇界的紫外LED的界面控制與發(fā)光研究。