2017年11月1日-3日,第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇開(kāi)幕大會(huì)在北京順義隆重召開(kāi)。論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦,中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門(mén)的大力支持。

對(duì)話



11月2日下午,由華燦光電、科銳光電、歐司朗、旭宇光電、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光電、北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室共同協(xié)辦支持的“芯片、封裝與模組技術(shù)分會(huì),在易美芯光(北京)科技有限公司執(zhí)行副總裁/CTO劉國(guó)旭主持下召開(kāi)。

會(huì)上,來(lái)自美國(guó)智能照明工程技術(shù)研究中心主任、美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK分享了超越照明:固體照明、顯示器和物聯(lián)網(wǎng)集成主題報(bào)告;他表示,隨著光電子(LED和激光二極管)和物聯(lián)網(wǎng)結(jié)合起來(lái)改造照明和顯示行業(yè),不斷創(chuàng)新和不斷創(chuàng)新的潮流正在繼續(xù)在這兩個(gè)市場(chǎng)上開(kāi)辟新的服務(wù)和能力。他回顧了高效LED芯片和封裝的發(fā)展,新的固定裝置的開(kāi)發(fā),以及與新的傳感平臺(tái)、新的照明和顯示功能的集成無(wú)線通信,以及未來(lái)照明和顯示系統(tǒng)的集成。
Micro LED的火熱已經(jīng)讓業(yè)界大公司躁動(dòng)起來(lái)。臺(tái)灣新創(chuàng)公司錼創(chuàng)Micro LED初期做到現(xiàn)在已經(jīng)有小樣了,而且是透明的Micro LED。前期聽(tīng)說(shuō)三星謠傳已經(jīng)開(kāi)始在跟他們談合作,這也是為什么今天來(lái)看看大家他有這樣的一個(gè)結(jié)果,這個(gè)謠傳也許是真的。

臺(tái)灣新創(chuàng)公司錼創(chuàng)(Play Nitride)創(chuàng)始人李允立在做“微LED顯示應(yīng)用的技術(shù)挑戰(zhàn)”報(bào)告時(shí)表示,真正的主流來(lái)臨之前有一個(gè)新的可能性,有機(jī)會(huì)我們做一個(gè)透明顯示器,這個(gè)應(yīng)用也有很多人說(shuō)早期做過(guò),顯示器不是很適合,如果我們可以提供一個(gè)透明顯示器,各位不知道可以從小孔中看到我,我可以清楚的看到每個(gè)人,應(yīng)該是可以看得到這個(gè)顯示器,左邊和右邊有做和沒(méi)有做,它的透明度非常高,我們認(rèn)為這其實(shí)有機(jī)會(huì)發(fā)展出更多新的應(yīng)用。

承接在傳統(tǒng)液晶(LCD)、OLED后,Micro LED被視為可能顛覆產(chǎn)業(yè)的新一代顯示技術(shù)。來(lái)自南方科技大學(xué)副教授劉召軍會(huì)上介紹了,多色Micro LED的傳質(zhì)技術(shù)報(bào)告。他認(rèn)為,今天介紹了MicroLED一個(gè)研發(fā)的情況介紹,也給大家提供了一個(gè)轉(zhuǎn)移的技術(shù),也實(shí)現(xiàn)了全彩色的技術(shù),今天只是拋磚引玉,我們大家需要一起努力,然后把這個(gè)問(wèn)題克服,有困難要克服,困難在哪里?MicroLED待解決的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題,不管是從材料角度還是從器件角度,還是從加工的角度有很多事情需要做,這個(gè)是需要大家所有的朋友們一起努力,我們來(lái)把這些問(wèn)題克服。

對(duì)話

科銳作為全球大功率的整個(gè)國(guó)際上的領(lǐng)先者,會(huì)上來(lái)自科銳中國(guó)市場(chǎng)推廣部總監(jiān)林鐵先生分享了“大功率LED和COB器件技術(shù)發(fā)展”報(bào)告。他表示,大功率LED和COB器件在高端照明市場(chǎng)具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)家相關(guān)政策和產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì),大功率LED器件技術(shù)也在不斷變革、細(xì)化、發(fā)展。器件的光效 、光輸出、光學(xué)均勻性、性能都在不斷提升。超大功率LED器件帶來(lái)更高流明輸出和光效。
科銳在LED器件領(lǐng)域又有重大突破,推出革新性的NX技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)將為新一代照明級(jí)LED的創(chuàng)新發(fā)展,提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。新型NX技術(shù)平臺(tái)體現(xiàn)了諸多器件與技術(shù)方面的先進(jìn)性,包括新型Dmax LED芯片、效率更高的熒光粉系統(tǒng)、新型封裝設(shè)計(jì)和更為簡(jiǎn)化的生產(chǎn)工藝。商業(yè)照明燈具正在朝著小型化的趨勢(shì)發(fā)展。照明設(shè)計(jì)師對(duì)空間整體美感的要求越來(lái)越高。體積大的燈具在空間中顯得突兀,影響空間整體美感,已不再能夠滿(mǎn)足設(shè)計(jì)師們和業(yè)主們追求美感的需求。COB器件技術(shù)不斷變革、細(xì)化、發(fā)展,高密度級(jí)COB器件能為客戶(hù)提供優(yōu)異性能,實(shí)現(xiàn)燈具小型化,提高空間整體美感。
林總表示,我們不只是帶來(lái)參數(shù)的提升,更是技術(shù)價(jià)值的體現(xiàn)。后續(xù)我們也會(huì)根據(jù)客戶(hù)不斷變化的要求,繼續(xù)完善提升我們的產(chǎn)品性能。

中科院半導(dǎo)體研究所研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹?ldquo;氮化物納米線可控生長(zhǎng)與器件應(yīng)用展望”報(bào)告。她主要介紹了納米線和可控制備以及在器件應(yīng)用當(dāng)中的初步探索。首先會(huì)給大家分享從芯片發(fā)展技術(shù)上的主要趨勢(shì),納米線器件到底在這個(gè)技術(shù)上作用,和在納米線生長(zhǎng)方面的幾個(gè)工作以及它的光學(xué)的特征,實(shí)現(xiàn)了氮化鎵平面的可控生長(zhǎng)。

乾照光電目前是國(guó)內(nèi)比較領(lǐng)先的紅光制造商,來(lái)自乾照光電股份有限公司技術(shù)副總監(jiān)陳凱軒“藍(lán)寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報(bào)告。他介紹說(shuō),乾照光電的紅光產(chǎn)品主要是在揚(yáng)州工廠生產(chǎn)制造,目前的月產(chǎn)能折合成兩寸片每月是18萬(wàn)片,現(xiàn)在揚(yáng)州工廠也在積極的擴(kuò)產(chǎn)。預(yù)計(jì)在2019年這個(gè)產(chǎn)能可以到40萬(wàn)片,紅光芯片種類(lèi)也是非常多,波長(zhǎng)范圍涵蓋了從565納米的紅綠光一直到940納米?,F(xiàn)在廈門(mén)工廠這邊主要是做氮化鎵芯片,目前的產(chǎn)能當(dāng)然還比較小,每個(gè)月折算成兩寸片只有40萬(wàn)片,在南昌也新設(shè)立了分公司南昌乾照,也正在積極的擴(kuò)產(chǎn)當(dāng)中,預(yù)計(jì)2018年每月是100萬(wàn)片,2019年大概是每月160萬(wàn)片。氮化鎵芯片的種類(lèi)目前也是比較全的,用來(lái)做照明的0.2瓦、0.1瓦小功率的芯片,不同的尺寸都有相應(yīng)的產(chǎn)品系列,包括用來(lái)做顯示屏的藍(lán)光、綠光的芯片,從比較小的0406,也可以歸為MiniLED了,背光、高壓芯片都有開(kāi)流出來(lái),MicroLED我們也有做相應(yīng)的開(kāi)發(fā)ph大概是30微米,我們還是需要繼續(xù)努力的。

中南大學(xué)教授汪煉成“采用濕法刻蝕GaN微金字塔結(jié)構(gòu)Q值超過(guò)6000的光泵激光”報(bào)告。報(bào)告中介紹了一種新型的基于全濕法化學(xué)腐蝕獲得的高品質(zhì)因子的垂直結(jié)構(gòu)金字塔GaN光學(xué)微腔。在紫外常溫光泵下觀察到多模式激射,如在367.2 nm波長(zhǎng)的模式激射,具有低的閾值 ((0.4-0.5MW/cm2)和窄線寬(0.054 nm)和高品質(zhì)因子(超過(guò)6000)。此高性能的光學(xué)GaN微腔主要受益于其獨(dú)特的微米金字塔制備方式。相比已經(jīng)報(bào)道過(guò)GaN微腔,此新型金字塔微腔具有以下特點(diǎn):1.傳統(tǒng)GaN微腔制造一般通過(guò)干法蝕刻得到,有損材料的晶體質(zhì)量。此金字塔微腔完全為濕法化學(xué)蝕刻得到,能在一定程度上“過(guò)濾”材料位錯(cuò)和缺陷,從而提高其晶體質(zhì)量;2.由濕法蝕刻得到的金字塔微腔具有光滑晶面,和底部的Ag基反射鏡能共同形成良好的光學(xué)限制,而無(wú)需傳統(tǒng)GaN微腔制備的復(fù)雜底切蝕刻工藝。(根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)速記整理,如有出入敬請(qǐng)諒解!)

