2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義區(qū)人民政府主辦的2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個專場分會重點討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。

 

　　11月3日上午，IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)分會如期召開。中國電子科技集團第十三研究所、專用集成電路重點實驗室為本次分會提供了協(xié)辦支持。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

　　北京大學(xué)副教授許福軍做了關(guān)于納米圖案藍(lán)寶石基板生長高質(zhì)量的AlN和AlGaN量子阱的報告。結(jié)合具體的實驗方案和細(xì)節(jié)，分享了氮化鋁和量子阱的生長情況以及相關(guān)的研究成果。

 

　　其中，許福軍表示，總結(jié)對比國際上關(guān)于氮化鋁外延采用的一些主要方法，包括脈沖法等，會發(fā)現(xiàn)圖形襯底方法，在氮化鋁晶體量控制的穩(wěn)定性、可重復(fù)性方面非常有優(yōu)勢。早期嘗試在微米圖形基礎(chǔ)上做氮化鋁的控制，會存在幾方面的問題，比如周期比較長，會導(dǎo)致聚合的厚度比較厚，這對氮化鋁的生長會是個嚴(yán)重的挑戰(zhàn)等。此外許福軍分析了納米控制氮化鋁的缺陷主要物理過程的解決方案等內(nèi)容。