2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會(huì)如期舉行。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動(dòng)我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟(jì)南中烏新材料有限公司王?，|等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報(bào)告。中科院微電子所教授，中國科學(xué)院院士劉明與廈門大學(xué)校長、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會(huì)。

 

　　會(huì)上，廣西大學(xué)杰出教授、臺(tái)灣大學(xué)榮退教授馮哲川分享了關(guān)于Ga2O3薄膜的光學(xué)和結(jié)構(gòu)特性的研究成果。馮哲川從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)已二三十年, 至今編輯出版了半導(dǎo)體及顯微結(jié)構(gòu)，多孔硅，碳化硅，III族氮化物(3本)，氧化鋅，固態(tài)照明及LED 領(lǐng)域的11-本英文專著，發(fā)表過650多篇學(xué)術(shù)論文(超過250篇SCI收錄)引用超3500次。

 

　　報(bào)告中，馮哲川集中介紹了XPS、GIS兩種技術(shù)測量，并且通過不同的樣板展示了氧化鎵在藍(lán)寶石基底之上進(jìn)行生長的情況，以及氧化鎵在砷化鎵基底上生長的情況，將不同生長情況進(jìn)行比較，同時(shí)使用厚度劑，以不同的測角和不同的氣溫來獲得相關(guān)數(shù)值，來觀察氧化鎵在藍(lán)寶石基底上進(jìn)行生長的過程和溫度之間的相關(guān)關(guān)系。馮哲川表示，在這個(gè)過程當(dāng)中摻雜使用鋁或者是鋅這兩種方式，這跟它們不同的數(shù)值也是有一定的關(guān)系的。