2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川， 西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王?，|等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。

 

 

　　會上， 山東大學教授陶緒堂介紹了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展，分享了關(guān)于氧化鎵、以及氧化鎵晶體生長等方面的研究工作。氧化鎵的結(jié)構(gòu)是多形的，β型的氧化鎵是最穩(wěn)定的，屬于單晶體。結(jié)合國內(nèi)外的研究狀況，陶緒堂分享了當前氧化鎵的研究進展以及氧化鎵晶體生長方法等內(nèi)容。分析了多種方法后，他表示關(guān)于氧化鎵晶體的生長已經(jīng)有幾十年的時間了，方法也有很多，比如提拉法、導模法等。從晶體質(zhì)量、大小，以及導電性的控制來看，導模法是最好的。對于未來，他同時表示，氧化鎵在產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用沒有很大的問題。目前存在著熱導力稍微低一點，以及如何摻雜的問題。不過很多時候我們可以做到單極的器件，也不一定非要做雙極的器件，所以三極管的高壓硬度有它的用處。導模法非常有優(yōu)勢，隨著晶體生長技術(shù)的發(fā)展，器件加工的發(fā)展非常重要，氧化鎵器件發(fā)展很快，也需要大家共同的努力。

 

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