2017年11月1日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦的第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇開幕大會(huì)在北京順義隆重召開。
會(huì)期兩天半，同期二十余場(chǎng)次會(huì)議。2日上午，由中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室共同協(xié)辦的“氮化鎵功率電子器件”技術(shù)分會(huì)上，來(lái)自加拿大多倫多大學(xué)的教授Wai Tung NG分享了“GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路”報(bào)告。
Wai Tung NG教授表示，氮化鎵的HEMTS非常重要，對(duì)于坍塌電壓方面會(huì)有非常大的韌性，而且在這里他們有一個(gè)比較好的限度。因?yàn)槭枪?，所以這里面很多的數(shù)據(jù)已經(jīng)達(dá)到了這些硅的上限，比如說(shuō)這個(gè)里面提到了HBT的上限，大家可以看到氮化鎵和砷化鎵沒有達(dá)到極限，很多可以進(jìn)一步的改善。如果把這些寬帶系的材料進(jìn)行使用的話，韌性比較強(qiáng)、電阻也會(huì)比較強(qiáng)，這是就是他們的賣點(diǎn)。
緊接著，他介紹了GaN功率晶體管的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路的基本驅(qū)動(dòng)方面的方法，探討了不同的氮化鎵功率器件，現(xiàn)在商用的驅(qū)動(dòng)器以及他們的局限性，回顧了典型的氮化鎵驅(qū)動(dòng)器IC的設(shè)計(jì)等等。（根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)速記整理，如有出入敬請(qǐng)諒解?。?/span>
