2017年11月1日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產業(yè)聯(lián)盟、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。會期兩天半，同期二十余場次會議。
其中，2日上午，由中國電子科技集團第十三研究所和專用集成電路重點實驗室共同協(xié)辦的“氮化鎵功率電子器件”技術分會上，來自中國科學院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質結構的常關型GaN MIS-HEMTs制造”報告。
會上，黃森超研究員主要介紹了薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質結用于制造常關斷型GaN基MIS-HEMT。
通過低壓化學氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質結構中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出正常的OFF特性，具有良好的VTH均勻性和低的VTH滯后。此外，還展示了開啟電阻為0.75Ω，門寬20 mm功率器件。（根據現(xiàn)場速記整理，如有出入敬請諒解?。?/div>
【版權聲明】本網站所刊原創(chuàng)內容之著作權為「中國半導體照明網」網站所有，如需轉載，請注明文章來源——中國半導體照明網；如未正確注明文章來源，任何人不得以任何形式重制、復制、轉載、散布、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部。
共0條 [查看全部] 相關評論
