隨著LED光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片數(shù)越來越多，從而降低單顆芯片的成本，另一方面單芯片功率越做越大，如現(xiàn)在是3W，將來會往5W、10W發(fā)展。這對有功率要求的照明應(yīng)用可以減少芯片使用數(shù)，降低應(yīng)用系統(tǒng)的成本。倒裝法、高電壓、硅基氮化鎵仍將是半導(dǎo)體照明芯片的發(fā)展方向。

　　2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

　　2日下午，由華燦光電、科銳光電、歐司朗、旭宇光電、北京康美特、易美芯光、有研稀土、乾照光電、北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點實驗室共同協(xié)辦支持的“芯片、封裝與模組技術(shù)分會上，來自中科院半導(dǎo)體研究所的研究員總工程師伊?xí)匝喾窒砹?ldquo;氮化物納米線可控生長與器件應(yīng)用展望”主題報告。

 

　　她表示，目前從芯片發(fā)展趨勢技術(shù)上來看，一個是性能的提升，可以用納米線的新的結(jié)構(gòu)形式去考慮，從器件的結(jié)構(gòu)上怎么樣提高性能。第二個芯片發(fā)展到這個階段，將來的天花板是顯示屏等等，我們面臨非常廣泛的應(yīng)用空間，從應(yīng)用的角度可以提出來對芯片的要求，我們可以根據(jù)應(yīng)用設(shè)計出來全新結(jié)構(gòu)的芯片結(jié)構(gòu)形式，現(xiàn)在提的比較多的農(nóng)業(yè)、可穿戴、定位和通訊、顯示，論壇上MicroLED顯示還是大家非常關(guān)注的，還有智能光源、智慧城市跟光電的集成等等方面，這些方面的應(yīng)用從芯片的角度來說性能上提出了新的要求。

 

　　除了剛才提到的更高發(fā)光效率以外還包括了像做定位和通訊系統(tǒng)，就實現(xiàn)更高的頻率，更高的頻率在微納尺寸上更有優(yōu)勢。

 

　　面對未來LED的發(fā)展的形式，它實際上是給我們提供了一個非常好的一種芯片的形式，跟以往的光源都不可設(shè)計的，用這些的芯片形式設(shè)計出我們想要的芯片形式。

 

　　在納米線的生長過程中我們發(fā)現(xiàn)了很多有意思的現(xiàn)象，比如說紅光光譜，生長過程中的轉(zhuǎn)折，及其新的結(jié)構(gòu)形式，也非常愿意跟大家一起來探討和分享，包括在一些新興器件里面的應(yīng)用等等。

 

　　用納米線來做一些電學(xué)的器件或者是光學(xué)的器件，在接觸方面未來的發(fā)展，它的可靠性它的一些電學(xué)性能怎么樣更好或者是比現(xiàn)在平面的器件？

 

　　她表示，確實是一個挑戰(zhàn)，首先能夠?qū)崿F(xiàn)納米線的生長就是一個挑戰(zhàn)，做到納米線的器件更是一個挑戰(zhàn)，像光控就需要很多的微型技術(shù)的，用石墨烯做互聯(lián)，也是納米線的一種互聯(lián)形式。另外也是更有賴于現(xiàn)在半導(dǎo)體技術(shù)的，微納技術(shù)的發(fā)展，我們的器件才有可能快速的做出來。（根據(jù)現(xiàn)場速記整理，如有出入敬請諒解?。?/div>