10月23-25日，第十五屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導體論壇（IFWS 2018）將在深圳會展中心舉行。24日上午，碳化硅材料與電力電子器件分會在山東大學徐現(xiàn)剛教授和美國倫斯勒理工學院周達成教授主持下隆重召開。

 

　　本屆論壇由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)政府主辦，國家科學技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家科學技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟促進局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。

 

　　“碳化硅材料與電力電子器件”分會作為論壇常設技術(shù)分會之一，由深圳基本半導體有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所協(xié)辦支持，浙江大學教授、博士生導師盛況與山東大學教授徐現(xiàn)剛共同擔任分會主席。中國電子科技集團公司第五十五研究所研究員柏松， 中國科學院物理研究所研究員陳小龍，東莞市天域半導體科技有限公司副總經(jīng)理孫國勝擔任分會委員，與多位國內(nèi)外的權(quán)威專家共同坐鎮(zhèn)。

 

　　會上，來自美國倫斯勒理工學院周達成教授、 美國GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN、瑞典皇家工程學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI、株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平、深圳基本半導體有限公司副總經(jīng)理張振中、PowerAmerica執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官/美國北卡羅萊納州立大Victor VELIADIS教授、瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER和香港應用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述一起，從各自擅長領域介紹和分析了當前碳化硅材料與電力電子期間的前沿研究進展。

 

　　首先，來自美國倫斯勒理工學院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

 

　　高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應物的生成、反應物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。

 

　　瑞典皇家工學院工程科學院教授Mietek BAKOWSKI以瑞典視角分享了《WBG電力設備的現(xiàn)狀和采用前景》，報告中介紹了由瑞典創(chuàng)新局（Vinnova）和瑞典能源管理局以及碳化硅電力中心資助的選定工業(yè)和研究項目的概況和重點。示例展示了基于WBG的電力電子能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)在各種應用中的節(jié)能方面的革命性進展。簡要介紹了瑞典材料、技術(shù)和設備研發(fā)領域的相關(guān)項目。

 

　　株洲中車時代電氣股份有限公司半導體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報告；

　　深圳基本半導體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。

美國電力副執(zhí)行主任兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學教授Victor Veliadis帶來《10 kV 4H-SiC晶體管基面位錯和耐久性的影響》；

瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報告；

 

　　矩陣轉(zhuǎn)換器被認為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因為其主要依賴于雙向開關(guān)而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進功率器件封裝的應用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報告，報告中回顧矩陣轉(zhuǎn)換器以及基于SiC器件的ASTRI最近的研究進展?！靖鶕?jù)會議資料整理，如有出入敬請諒解！】