本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市龍華區(qū)人民政府主辦，國家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司、國家科學(xué)技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟(jì)促進(jìn)局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。

　　“半導(dǎo)體裝備與智能制造”分會(huì)作為SSLCHINA論壇重要分會(huì)之一，由北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司、維易科精密儀器國際貿(mào)易（上海）有限公司支持協(xié)辦。會(huì)上，來自江蘇大學(xué)左然教授分享了《AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理的量子化學(xué)計(jì)算》研究報(bào)告。

 

　　他介紹到，AlN是最重要的III-V族半導(dǎo)體之一。在III族氮化物（AlN、GaN和InN）中，AlN具有最寬的帶隙、與GaN較低的晶格失配和熱失配，以及最強(qiáng)的金屬-氮鍵。它特別適用于制備紫外/深紫外光電子器件，以及GaN基功率半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的緩沖層和過渡層。

 

　　在AlN MOCVD生長中，由于Al與N之間的強(qiáng)配位鍵，氣相寄生反應(yīng)強(qiáng)烈，表面遷移率低，導(dǎo)致生長速率低，生長效率低，薄膜質(zhì)量差。目前，AlN外延生長已成為制約AlN相關(guān)器件應(yīng)用的瓶頸。深入了解AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)機(jī)理，對(duì)于改善生長工藝和薄膜質(zhì)量具有重要意義。

 

　　所在課題組利用量子化學(xué)的密度泛函理論（DFT），對(duì)AlN MOCVD的氣相和表面反應(yīng)進(jìn)行的理論研究。在氣相反應(yīng)中，已知三條反應(yīng)路徑：TMAl直接熱解、TMAl氫解、以及TMAl與NH3的氨基物的形成和聚合。并尋找每條反應(yīng)路徑所依賴的條件，包括反應(yīng)器幾何結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)，確定表面反應(yīng)的主要前體，以及納米粒子形成的條件。

 

　　對(duì)于AlN的表面反應(yīng)，研究主要的含Al粒子在AlN表面的吸附和擴(kuò)散，包括僅含有A- C鍵的MMAl，以及含有A1-N核的氨基物DMANH2和Al(NH2)3，并比較在不同表面條件（理想或非理想）下的各種吸附結(jié)構(gòu)、吸附能和擴(kuò)散勢(shì)壘。并探討二維臺(tái)階生長的最佳條件及其與表面形貌、表面覆蓋率和氣相條件之間的關(guān)系?！靖鶕?jù)會(huì)議資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解！】