第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點，在新一代移動通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。誰掌握著技術(shù)的高地，誰就擁有更多的話語權(quán)。
2018年10月23-25日，第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）在深圳會展中心舉行。其中，24日上午由中國電子科技集團第十三研究所、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司支持協(xié)辦的“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”在河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同主持下成功召開。
“第三代半導(dǎo)體微波射頻技術(shù)分會”作為論壇重要技術(shù)分會之一，河北半導(dǎo)體研究所副所長蔡樹軍和蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千共同擔任本次分會主席。日本德島大學(xué)教授，西安電子科技大學(xué)教授敖金平、荷蘭安譜隆有限責任公司晶圓級可靠性專家陶國橋等專家擔任分會委員為分會提供堅實的支持。
會上，OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報告。
報告中介紹說，隨著5G 28GHz和39GHz移動系統(tǒng)等先進毫米波通信應(yīng)用的出現(xiàn)，要求開發(fā)高性能寬帶隙MMIC工藝和產(chǎn)品。在這方面，我們在Ommic已經(jīng)能夠展示驚人的mmW MMIC結(jié)果使用100nm和60nm Si上GaN應(yīng)用于20 GHz到90GHz的發(fā)射和接收。使用Si上GaN相當于GaN上SiC工藝的性能，但成本明顯較低，能夠滿足基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)和手持設(shè)備的經(jīng)濟性和性能要求。
演講中，首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。介紹了各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。和從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。最后，還分享了用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器工藝的性能?！靖鶕?jù)會議資料整理，如有出入敬請諒解！】
