第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）在昆明成功舉辦

發(fā)布日期：2018-12-14 來源：中國半導體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù)：808

　　2018年12月9-12日，第三屆國際紫外材料與器件會議（IWUMD-2018）在云南省昆明云安會都酒店召開。會議吸引了來自中國、美國、俄羅斯、加拿大、德國、法國、日本、韓國等國在內(nèi)的十二個國家和地區(qū)的270余位代表出席了本次會議。

開幕大會現(xiàn)場

大會程序委員會聯(lián)合主席、中國半導體研究所研究員王軍喜主持開幕式

　　第一、第二屆IWUMD分別在中國北京、日本福岡舉辦。本屆會議由中國科學院半導體研究所、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）和半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室聯(lián)合主辦，北京大學、廈門大學、昆明理工大學共同協(xié)辦。同時還得到了中科潞安、TES、奧趨光電、中烏新材、大族激光、隆興達、脈科、美揚科技、納維科技、國星光電、中國電子科技集團有限公司第二研究所、Crosslight、Aixtron、北方華創(chuàng)、鴻利智匯等單位的大力支持。

大會主席、中科院半導體研究所照明研發(fā)中心主任李晉閩為大會致辭

廈門大學校長張榮致辭并擔任嘉賓主持

大會程序委員會主席、北京大學王新強教授匯報會議情況

　　本次會議特別邀請了國內(nèi)外在紫外材料和器件相關領域的20多位知名專家就AlN、BN和Ga2O3等的紫外材料的外延生長、物理機制和相關器件等方面做了特邀報告，充分展示了國內(nèi)外在這些技術領域的最新成果和最新動態(tài)，特別是我國在紫外相關材料和器件方面的最新進展。目前我國的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化水平已達到國際先進水平。此外大會內(nèi)容豐富，包括會前特邀五位國際專家進行了專題培訓；除了開閉幕大會以外，還設置了兩個并行分會，邀請報告、口頭報告和海報等環(huán)節(jié)，受到了參會代表的一致好評。

大會現(xiàn)場

培訓現(xiàn)場

分會一

分會二

分會三

分會四

　　由于半導體照明新興產(chǎn)業(yè)的帶動，紫外材料和器件技術及其相關應用得到了前所未有的快速發(fā)展。本次會議為國內(nèi)外從事紫外材料和器件相關技術研發(fā)的科研人員提供相互了解和交流的機會，促進了國內(nèi)外紫外材料和器件相關研究機構的溝通與合作，為進一步加快我國紫外材料和器件技術創(chuàng)新及該技術的產(chǎn)業(yè)化推廣應用起到了積極的作用。