2019年1月8日上午，國家科學技術(shù)獎勵大會在北京隆重舉行。黨和國家領(lǐng)導人習近平、李克強等出席大會并為獲獎代表頒獎。聯(lián)盟副理事長單位北京大學沈波教授團隊、聯(lián)盟會員單位西安電子科技大學張進成教授團隊獲得2018年度國家技術(shù)發(fā)明二等獎。
“氮化物半導體大失配異質(zhì)外延技術(shù)”主要完成人有沈波（北京大學）、康凱（東莞中圖半導體科技有限公司）、王新強（北京大學）、童玉珍（東莞中鎵半導體科技有限公司）、陳志忠（北京大學）、付星星（東莞中圖半導體科技有限公司）。該研究在863、973、基金委等國家和地方科技計劃的持續(xù)支持下，圍繞氮化物半導體大失配異質(zhì)外延的缺陷和應力控制這一重大問題開展了系統(tǒng)研究，發(fā)明了有效提升外延質(zhì)量的圖形化藍寶石襯底新技術(shù)和外延生長新方法，制備出部分質(zhì)量指標國際領(lǐng)先的氮化物半導體外延材料，建立了較為完善的氮化物半導體大失配異質(zhì)外延技術(shù)體系，并實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應用。該成果得到國際同行的高度評價，包括諾貝爾獎獲得者在內(nèi)的多位該領(lǐng)域國際知名學者對該項目成果給予了引用或評價。
“微波功率器件及關(guān)鍵技術(shù)”由張進成教授牽頭完成，項目提出了低缺陷材料生長方法、耐高溫材料結(jié)構(gòu)、高效器件結(jié)構(gòu)和高可靠器件工藝，解決了材料生長、器件結(jié)構(gòu)和制造工藝等制約器件性能提升的難題，突破了第三代寬禁帶半導體電子器件的工程化應用，在下一代5G通訊、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等國民經(jīng)濟和信息感知等國家安全領(lǐng)域具有廣泛應用前景。
據(jù)悉，2018年度國家科學技術(shù)獎共評選出278個項目和7名科技專家。其中，國家最高科學技術(shù)獎2項；國家自然科學獎38項：一等獎1項，二等獎37項；國家技術(shù)發(fā)明獎67項：一等獎4項，二等獎63項；國家科學技術(shù)進步獎173項：特等獎2項，一等獎23項（含創(chuàng)新團隊3項），二等獎148項；中華人民共和國國際科學技術(shù)合作獎5項。
“氮化物半導體大失配異質(zhì)外延技術(shù)”主要完成人有沈波（北京大學）、康凱（東莞中圖半導體科技有限公司）、王新強（北京大學）、童玉珍（東莞中鎵半導體科技有限公司）、陳志忠（北京大學）、付星星（東莞中圖半導體科技有限公司）。該研究在863、973、基金委等國家和地方科技計劃的持續(xù)支持下，圍繞氮化物半導體大失配異質(zhì)外延的缺陷和應力控制這一重大問題開展了系統(tǒng)研究，發(fā)明了有效提升外延質(zhì)量的圖形化藍寶石襯底新技術(shù)和外延生長新方法，制備出部分質(zhì)量指標國際領(lǐng)先的氮化物半導體外延材料，建立了較為完善的氮化物半導體大失配異質(zhì)外延技術(shù)體系，并實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應用。該成果得到國際同行的高度評價，包括諾貝爾獎獲得者在內(nèi)的多位該領(lǐng)域國際知名學者對該項目成果給予了引用或評價。
“微波功率器件及關(guān)鍵技術(shù)”由張進成教授牽頭完成，項目提出了低缺陷材料生長方法、耐高溫材料結(jié)構(gòu)、高效器件結(jié)構(gòu)和高可靠器件工藝，解決了材料生長、器件結(jié)構(gòu)和制造工藝等制約器件性能提升的難題，突破了第三代寬禁帶半導體電子器件的工程化應用，在下一代5G通訊、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)等國民經(jīng)濟和信息感知等國家安全領(lǐng)域具有廣泛應用前景。
據(jù)悉，2018年度國家科學技術(shù)獎共評選出278個項目和7名科技專家。其中，國家最高科學技術(shù)獎2項；國家自然科學獎38項：一等獎1項，二等獎37項；國家技術(shù)發(fā)明獎67項：一等獎4項，二等獎63項；國家科學技術(shù)進步獎173項：特等獎2項，一等獎23項（含創(chuàng)新團隊3項），二等獎148項；中華人民共和國國際科學技術(shù)合作獎5項。
熱烈祝賀?。?！
