第一代半導(dǎo)體材料就是我們最為熟悉的矽或鍺，又稱元素半導(dǎo)體材料。第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAS）等化合物材料為代表，可發(fā)光但有一定之波長(zhǎng)限制，拜LED、行動(dòng)通信及光通信風(fēng)潮之賜，第二代半導(dǎo)體材料繼之成為鎂光燈下的新焦點(diǎn)。

 

　　隨著5G、云端計(jì)算、工業(yè)4.0及新能源車等之日益蓬勃，人們對(duì)高效率電力電子產(chǎn)品之需求更是殷切。以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為首的第三代半導(dǎo)體材料因具高溫、高壓、高功率、高頻及抗幅射等特性，廣泛應(yīng)用于各式發(fā)光及電子電力元件。

 

　　SiC在光電領(lǐng)域方面可實(shí)現(xiàn)全彩顯示，在家電、新能源車及太陽(yáng)能等應(yīng)用上則具節(jié)能與提高效率等效果；GaN除可協(xié)助改善汽車傳感器之性能外，在快速充電、高亮度LED及5G無線基地臺(tái)等領(lǐng)域之應(yīng)用上亦具明顯競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

 

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpment指出，由于采用SiC MOSFET模組的特斯拉Model 3產(chǎn)能增加，SiC市場(chǎng)成長(zhǎng)快速，2023年全球市場(chǎng)規(guī)模約15億美元左右，復(fù)合年增率29％。

 

　　GaN市場(chǎng)則受惠于Apple考慮將GaN技術(shù)作為智慧型手機(jī)之無線充電解決方案，2017?2023年GaN應(yīng)用于電源市場(chǎng)之復(fù)合年增率將高達(dá)93％；另隨5G之即將蓬勃，2023年射頻GaN市場(chǎng)規(guī)模將倍增至13億美元左右，復(fù)合年增率22.9％。

 

　　大陸發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緣自2013年科技部「863計(jì)劃」將之列為戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)，2016堪稱是大陸的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)元年，除國(guó)務(wù)院國(guó)家新產(chǎn)業(yè)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組于當(dāng)年將第三代半導(dǎo)體材料列為重點(diǎn)發(fā)展方向外，福建等27個(gè)地區(qū)近30條的相關(guān)政策也陸續(xù)推出。

 

　　同年6月25日，福建省政府、國(guó)家集成電路大基金及三安光電等共同揭牌成立安芯基金以建立第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚落，基金目標(biāo)規(guī)模500億元人民幣（下同），首期出資75.1億元。2017年工信部、國(guó)家發(fā)改委公布的「信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南」，更將第三代半導(dǎo)體材料列為積體電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)。

 

　　2018年3月，深圳市政府大力支持的第三代半導(dǎo)體研究院正式啟動(dòng)，位于北京順義7.1萬平方公尺的第三代半導(dǎo)體材料創(chuàng)新基地，亦于同年12月底正式完工。

 

　　根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018下半年起大陸有超過8個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落實(shí)，除北大、清華及中科院仿生技術(shù)研究所等14個(gè)單位聯(lián)合成立氮化物半導(dǎo)體材料研究計(jì)畫外，更有重慶捷舜科技的50億GaN設(shè)廠計(jì)畫、中科院的20億SiC一體化項(xiàng)目，以及山東天岳晶體的30億SiC材料廠等項(xiàng)目。

 

　　另外，三安光電在2018年底宣布完成商業(yè)版本的6吋SiC晶圓制程，耐威科技的8吋GaN-on-Si外延晶圓也預(yù)計(jì)于2019年第二季開始量產(chǎn)出貨。

 

　　大陸的鎵產(chǎn)量占全球70％以上，面向5G、新能源汽車及智能電網(wǎng)等電子電力產(chǎn)品之蓬勃發(fā)展，挾5G技術(shù)領(lǐng)先及全球新能源汽車最大產(chǎn)銷重鎮(zhèn)等優(yōu)勢(shì)，大陸積極擺脫第一代及第二代半導(dǎo)體跟跑窘境，換道超車領(lǐng)跑第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的企圖心不容小覷?！咀髡撸焊焕瓌P投資銀行首席經(jīng)濟(jì)學(xué)家張明杰】