碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是重要的第三代半導(dǎo)體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應(yīng)用，其材料水平直接決定了器件的性能。其材料技術(shù)已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競爭戰(zhàn)略制高爭奪點。

　　2019年11月25-27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）將在深圳會展中心舉行。本屆論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦。

　　作為論壇的重要組成部分，本屆“襯底、外延及生長裝備”分會主題涵蓋碳化硅和GaN生長材料、襯底、同（異）質(zhì)外延薄膜、測試表征和相關(guān)的設(shè)備，將特別邀請國內(nèi)外知名專家參加，對SiC和GaN從機理到工業(yè)化進程進行系統(tǒng)的探討。

　　其中，北京大學(xué)物理學(xué)院教授, 理學(xué)部副主任沈波，山東大學(xué)教授，晶體材料國家重點實驗室副主任徐現(xiàn)剛， 日本電力中央研究所坂田修身，德國ORCHESTRA總裁Guido COLOMBO， 美國亞利桑那州立大學(xué)助理教授鞠光旭，美國Aymont Technology Inc總裁Larry B. Rowland，俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師Andrey SMIRNOV，美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH等來自國內(nèi)外高校、科研院所、企業(yè)的精英代表齊聚一堂，分享前沿研究成果。
 

　　時間：2019年11月26日下午14:00-17:30

　　地點：深圳會展中心·五層菊花廳
 

　　分會組織機構(gòu)

　　主辦單位：

　　國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

　　第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

　　協(xié)辦單位：

　　中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司