11月26日下午，“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)”分會如期召開。本屆分會由木林森股份有限公司、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、華燦光電股份有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司、歐司朗光電半導(dǎo)體（中國）有限公司、有研稀土新材料股份有限公司協(xié)辦。
美國智能照明工程技術(shù)研究中心主任、美國倫斯勒理工學(xué)院教授Robert F. KARLICEK，歐司朗光電半導(dǎo)體（中國）有限公司銷售負責(zé)人邵嘉平，易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官劉國旭，廈門大學(xué)教授陳朝，有研稀土新材料股份有限副總經(jīng)理、教授級高級工程師劉榮輝，中南大學(xué)教授汪煉成，復(fù)旦大學(xué)副研究員劉盼等來自中外的強勢力量聯(lián)袂帶來精彩報告。易美芯光（北京）科技有限公司執(zhí)行副總裁兼CTO劉國旭、北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲共同主持了本次分會。
隨著半導(dǎo)體照明的發(fā)展，尤其是室內(nèi)照明的推進，人們對其效率和顯色指數(shù)（Color rendering index, CRI）等品質(zhì)參數(shù)等提出了更高的要求。中南大學(xué)教授汪煉成做了題為“設(shè)計制造復(fù)合金屬等離激元同時提高GaN LED效率和顯色指數(shù)研究”的主題報告。
汪煉成科研方向為集成寬禁帶半導(dǎo)體器件和系統(tǒng)，在GaN LED 方面有近10年科研經(jīng)歷，近5年以第一/通訊作者發(fā)表SCI論文40余篇，引用次數(shù)744次，申請專利38項，已授權(quán)13項，成功制備性能國內(nèi)領(lǐng)先、國際一流垂直結(jié)構(gòu)LED，開拓了石墨烯透明電極在LED中應(yīng)用。自2017年回國在中南大學(xué)建設(shè)了第三代半導(dǎo)體平臺和團隊，致力于次世代GaN LED、高溫高功率IGBT模塊封裝和可靠性方面研究。
利用GaN基藍光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉YAG：Ce制備白光LED是目前最主要的技術(shù)路線，其仍存在的主要問題有：一是流明效率仍較低，且隨電流增大而降低嚴(yán)重，即流明效率droop現(xiàn)象；二是顯色指數(shù)較低，在大電流密度工作條件下退化，難于同時獲得高流明效率、高CRI值、光譜可調(diào)的白光LED。通常而言，CRI值和流明效率呈反向變動趨勢，提高CRI會使在此CRI值下的理論極限流明效率降低。
報道采用復(fù)合金屬納米顆粒（metal NPs）、寬譜熒光粉和窄譜量子點作為白光LED的復(fù)合熒光材料，同時提高白光LED的流明效率和顯色指數(shù)：一是設(shè)計制造復(fù)合metal NP產(chǎn)生的金屬局域表面等離激元（Localized surface plasmon resonance，LSPR），同時提高斯托克斯轉(zhuǎn)換效率，和熒光效率；二是寬譜熒光粉和窄譜量子點結(jié)合，實現(xiàn)具有高顯色指數(shù)、光譜可有效調(diào)控的全光譜白光。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
