2019年11月25-27日，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會(huì)，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅱ”論壇于26日下午成功召開。該分會(huì)由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會(huì)加拿大多倫多大學(xué)吳偉東教授主持。

　　會(huì)上，邀請(qǐng)到日本德島大學(xué)周繼禹分享了《高鋁組分的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)pH傳感器》研究報(bào)告。他1995年在南開大學(xué)獲得理學(xué)碩士學(xué)位。在任中國(guó)礦業(yè)大學(xué)講師期間，參與建設(shè)了該校第一個(gè)多媒體教學(xué)實(shí)驗(yàn)室，這在當(dāng)時(shí)的中國(guó)都是很領(lǐng)先的。之后在不同的公司工作，先后任工程師、經(jīng)理和高層管理?，F(xiàn)任無錫雷華網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司總經(jīng)理。擁有兩項(xiàng)個(gè)人專利，其中一項(xiàng)是已授權(quán)的發(fā)明專利。2018年進(jìn)入德島大學(xué)，作為敖金平教授的博士生，主要研究基于GaN的ISFET。

 

　　據(jù)了解，用AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)制備的ISFET作為pH傳感器，因?yàn)槠涓玫撵`敏度，時(shí)間響應(yīng)度和環(huán)境適應(yīng)性，已經(jīng)引起了廣泛的關(guān)注。在越來越多的研究中，人們發(fā)現(xiàn)隨著AlGaN阻擋層中鋁組分的增加，其靈敏度有顯著提升。但是由于晶格失配帶來的應(yīng)力，會(huì)使不同的Al組分有不同的臨界厚度。隨著Al組分的增加，臨界厚度不斷減小，而阻擋層厚度的減小意味著二維電子氣（2DEG）的減少，所以不能無限制的增加Al的組分。

 

　　報(bào)告中介紹了，制備了Al組分達(dá)到35%的基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的pH傳感器。由于考慮到晶格失配帶來的應(yīng)力，我們?cè)O(shè)計(jì)了一層較低Al組分（25%）的緩沖層（16nm）以保證足夠的厚度和2DEG的濃度。樣品制備成功后，測(cè)量不同濃度的溶液中（pH分別為4，7，9）傳感器的性能曲線。采用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀對(duì)電流電壓特性進(jìn)行了表征。采用Ag/Agcl參比電極監(jiān)測(cè)液體中的電壓（Vref）。采用鄰苯二甲酸鹽、磷酸鹽和四硼酸鈉三種緩沖溶液作為pH標(biāo)準(zhǔn)溶液進(jìn)行測(cè)定。通過鉑電極或標(biāo)準(zhǔn)參比電極對(duì)溶液施加?xùn)艠O偏壓。通過施加漏極電壓測(cè)量了傳感器的電流-電壓（I-V）特性。經(jīng)過計(jì)算，傳感器靈敏度達(dá)到了57.7mV/pH，與能斯特極限很接近?！緝?nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解】