2019年11月25-27日，第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會(huì)，“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會(huì)議由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國(guó)愛思強(qiáng)股份有限公司、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會(huì)由分會(huì)主席浙江大學(xué)特聘教授、電氣工程學(xué)院院長(zhǎng)盛況和中山大學(xué)教授劉揚(yáng)共同主持。

　　會(huì)上，邀請(qǐng)到了蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司總裁丁國(guó)華帶來了《改進(jìn)碳化硅MOSFET RONSP的器件結(jié)構(gòu)和工藝研究》主題報(bào)告。丁國(guó)華，蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司總裁，1986年本科畢業(yè)于西安交通大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)，1991年?yáng)|南大學(xué)半導(dǎo)體物理與器件專業(yè)碩士畢業(yè)。1986年7月至1997年12月在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司工作，歷任產(chǎn)品工藝工程師、產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師及分廠技術(shù)副廠長(zhǎng)等職務(wù)。2003年5月創(chuàng)立無錫硅動(dòng)力微電子股份有限公司，先后任公司副董事長(zhǎng)，總經(jīng)理、董事長(zhǎng)等職務(wù)。曾被無錫政府授予優(yōu)秀總經(jīng)理。在2015年加盟蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司，任公司總裁，獲蘇州姑蘇領(lǐng)軍人才。公司致力于功率半導(dǎo)體器件與功率集成芯片的開發(fā)與銷售。公司于2018年成功推出量產(chǎn)級(jí)1200V SiC MOSFET，公司2018年獲江蘇省“科技小巨人企業(yè)”稱號(hào)。

 

　　丁國(guó)華總裁表示，碳化硅MOSFET由于工藝制造上的難點(diǎn)和材料限制，無法像硅基MOSFET利用自對(duì)準(zhǔn)工藝形成溝道，導(dǎo)致溝道長(zhǎng)度的設(shè)計(jì)必須考慮光刻套刻偏差的影響，不能設(shè)計(jì)為最優(yōu)尺寸，以及在SiC-Sio2界面的缺陷密度導(dǎo)致溝道遷移率下降，都對(duì)RONSP造成不利影響。如何降低光刻套刻偏差對(duì)溝道長(zhǎng)度的影響以及優(yōu)化SiC-SiO2界面的缺陷密度，提高溝道遷移率。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解】