碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也代表了功率電子器件的發(fā)展方向,在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域具有巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/div>

2019年11月25-27日,第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2019)暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2019)在深圳會展中心盛大舉行。作為論壇重要的技術(shù)分會,“功率電子器件及封裝技術(shù)Ⅰ”論壇于26日上午成功召開。會議由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦,深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦,得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、德國愛思強(qiáng)股份有限公司、國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、英諾賽科科技有限公司、蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司的協(xié)辦支持。該會由分會主席浙江大學(xué)特聘教授、電氣工程學(xué)院院長盛況和中山大學(xué)教授劉揚(yáng)共同主持。

會上,邀請到加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計(jì)和TCAD模擬》研究報(bào)告。早年經(jīng)華人諾獎(jiǎng)得主李政道博士創(chuàng)立的中美聯(lián)合培養(yǎng)物理類研究生計(jì)劃(CUSPEA)前往北美留學(xué)。曾在加拿大國家研究署工作,其間從事半導(dǎo)體激光器的模擬仿真開發(fā),并使其成為全球第一個(gè)商用激光器仿真軟件。1995年創(chuàng)立加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司, 現(xiàn)已成為全球光電器件及化合物半導(dǎo)體仿真領(lǐng)域知名度最高的商業(yè)軟件公司。李博士是著名光電器件國際學(xué)術(shù)會議—NUSOD的創(chuàng)始人,也作為技術(shù)核心領(lǐng)頭人創(chuàng)辦了GaNPower International 等半導(dǎo)體芯片公司。
報(bào)告中介紹了,由于異質(zhì)結(jié)、界面固定電荷、超低本征載流子密度和量子化態(tài)密度的存在,gaas和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和TCAD模擬與硅半導(dǎo)體有很大的不同。本文概述了幾種常用的基于寬帶隙的器件在設(shè)計(jì)和仿真中面臨的挑戰(zhàn)和實(shí)際方法。對于GaN基LED和微型LED,俄歇復(fù)合結(jié)合非局域熱載流子泄漏和量子隧穿決定器件性能,必須在TCAD軟件中進(jìn)行精確處理,當(dāng)正向肖特基二極管泄漏或介質(zhì)擊穿成為主要的擊穿機(jī)制時(shí),通常不存在雪崩擊穿。TCAD仿真網(wǎng)格的構(gòu)建必須保證在高電壓下的精確場分布是一致的。針對射頻應(yīng)用方面,柵極的高頻寄生效應(yīng)需要在AC分析中考慮到。【內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理,如有出入敬請諒解】
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