11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。
 

11月26日上午，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)” 分會(huì)如期召開(kāi)。本屆分會(huì)由蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司、中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所、國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、英諾賽科科技有限公司協(xié)辦。
 

以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來(lái)不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?br />
日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新，西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)，瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS，鄭州大學(xué)教授、日本名古屋大學(xué)客座教授劉玉懷，西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)，北京大學(xué)劉放、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)趙曉龍等來(lái)自中外嘉賓聯(lián)袂帶來(lái)精彩報(bào)告。

會(huì)上，北京大學(xué)劉放做了題為“高質(zhì)量h-BN薄層和針對(duì)III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了在Al₂O₃（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
 

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