11月27日上午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會(huì)如期召開。本屆分會(huì)山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司協(xié)辦。
第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN，南京大學(xué)教授陸海，臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學(xué)教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學(xué)高娜，南京大學(xué)王致遠(yuǎn)等國際知名專家參加本次會(huì)議，力圖呈現(xiàn)紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新進(jìn)展。廈門大學(xué)教授康俊勇、中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次分會(huì)。
對(duì)于大多數(shù)固態(tài)照明技術(shù)，尤其是對(duì)于深紫外發(fā)光二極管（DUV-LED）而言，提高光提取效率（LEE）具有非常重要的意義。臺(tái)灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中做了題為“新型深紫外LED封裝發(fā)光技術(shù)提升”的報(bào)告，
郭浩中教授在III-V光學(xué)設(shè)備/材料（砷化鎵，磷化銦，氮化鎵）有超過20年的研究經(jīng)驗(yàn)。他是2015年美國電子電氣工程師協(xié)會(huì)(IEEE)會(huì)士，2012年美國光學(xué)學(xué)會(huì)(OSA)會(huì)士，2013年國際光學(xué)工程學(xué)會(huì)(SPIE)院士，2012年英國工程技術(shù)學(xué)會(huì)(IET)會(huì)士。
報(bào)告分析了不同封裝結(jié)構(gòu)對(duì)LEE的影響，并提出了一種新型的帶有硅油和半球透鏡的DUV-LED液體封裝結(jié)構(gòu)。通過這種設(shè)計(jì)，與常規(guī)封裝結(jié)構(gòu)相比，DUV-LED輸出光的強(qiáng)度可以提高70.7%。此外，采用該液體封裝結(jié)構(gòu)的DUV-LED熱阻可以降低30.3%。經(jīng)過可靠性測試后，DUV-LED的200小時(shí)輸出光強(qiáng)度仍可保持98%以上。另外，對(duì)比倒裝結(jié)構(gòu)和垂直結(jié)構(gòu)的DUV-LED芯片在該液態(tài)封裝結(jié)構(gòu)下的光學(xué)性能。然后，根據(jù)光學(xué)仿真結(jié)果，對(duì)這兩種芯片的腔體進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。最終，采用新型封裝結(jié)構(gòu)的薄膜型倒裝結(jié)構(gòu)DUV-LED的外量子效率在300 mA時(shí)可達(dá)到10%。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
