11月25-27日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
 

11月27日上午，“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期召開。本屆分會山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司協(xié)辦。
 

挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授、挪威科學(xué)技術(shù)院院士Helge WEMAN，南京大學(xué)教授陸海，臺灣交通大學(xué)特聘教授郭浩中，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司主任工藝工程師胡建正，上海大學(xué)教授、Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮，河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz SHARIF，廈門大學(xué)高娜，南京大學(xué)王致遠(yuǎn)等國際知名專家參加本次會議，力圖呈現(xiàn)紫外發(fā)光和探測領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新進(jìn)展。廈門大學(xué)教授康俊勇、中科院半導(dǎo)體所研究員、半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任王軍喜共同主持了本次分會。

上海大學(xué)教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮帶來了題為“大批量工藝制備的高質(zhì)量氮化鋁模板材料表征分析”的主題報告，作為一種典型的寬帶直接帶隙（6.2 eV）半導(dǎo)體材料，AlN是高Al含量的高溫，高頻，高功率電子和深紫外（UV）光電器件（例如發(fā)光器件）的極佳候選者 二極管（LED），激光器，射頻設(shè)備，傳感器和高密度光學(xué)數(shù)據(jù)存儲。在過去的幾十年中，人們?yōu)橥ㄟ^各種工藝（例如氫化物氣相外延（HVPE），金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD），分子束外延（MBE）和物理氣相傳輸（PVT））生長AlN做出了巨大努力。 然而，對于大規(guī)模工業(yè)應(yīng)用而言，以低成本和可擴(kuò)展性發(fā)展高質(zhì)量的AlN仍然是一個非常具有挑戰(zhàn)性的問題。
 

報告中介紹了使用Ultratrend Technologies Inc.（UTI）開發(fā)的一系列專有技術(shù)制造高質(zhì)量2英寸/ 4英寸AlN模板的工業(yè)解決方案。這些專有技術(shù)最近已在UTI用于生產(chǎn)2英寸/ 4英寸高質(zhì)量AlN模板，到2020年的產(chǎn)能為30萬個。所選擇的AlN厚度為200 nm的AlN模板具有高分辨率的特點(diǎn) X射線衍射（HRXRD）。 對稱和不對稱的HRXRD搖擺曲線分別顯示FWHM為78.4-84.5 arcsec和270.3-341.6 arcsec。 通過原子力顯微鏡（AFM）確定模板的均方根（RMS）粗糙度為0.12nm-0.39nm。所有選擇的模板在FWHM上顯示出很高的均勻性，并在整個表面上具有粗糙度，并且在指定的工藝條件下具有出色的再現(xiàn)性。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）