2019年11月25日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布兩項項聯(lián)盟標準T/CASA 009-2019《半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法》、T/CASA0010-2019《氮化鎵材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法》。兩項標準均由北京科技大學材料科學與工程學院齊俊杰教授牽頭，按照CASAS標準制定程序（立項、征求意見稿、委員會草案、發(fā)布稿），反復斟酌、修改、編制而成。標準的制定得到了很多CASA標準化委員會正式成員的支持。
半導體材料中的痕量雜質(zhì)元素濃度及其分布高精度表征是影響產(chǎn)業(yè)鏈不同階段產(chǎn)品（如襯底、外延、芯片、器件）性能的重要參數(shù)。二次離子質(zhì)譜儀是檢測材料痕量雜質(zhì)元素濃度及分布的最常用且最精準的設備。目前我國以二次離子質(zhì)譜方法高精度檢測第三代半導體材料中的痕量雜質(zhì)濃度及分布的標準屬于空白領域，兩項標準的制定對第三代半導體材料的特征參數(shù)評價及產(chǎn)業(yè)應用具有較強的積極作用。
T/CASA 009-2019《半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法》主要起草單位有北京科技大學、中國科學院半導體研究所、北京國聯(lián)萬眾半導體有限公司、山東大學、河北同光晶體有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中科鋼研節(jié)能科技有限公司、深圳第三代半導體研究院。該標準規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜儀測定半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)（鋁、釩）濃度及分布的方法，適用于半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)（鋁、釩）濃度及分布的分析。
T/CASA 010-2019《氮化鎵材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法》主要起草單位有北京科技大學、中國科學院半導體研究所、北京國聯(lián)萬眾半導體有限公司、深圳第三代半導體研究院、中國科學院蘇州納米所、北京大學、廣東芯聚能半導體有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中科鋼研節(jié)能科技有限公司、濟南力冠電子科技有限公司。該標準規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜儀測定半導體氮化鎵材料中痕量雜質(zhì)（硅、鋁、鋅、鐵）濃度及分布的方法，適用于半導體氮化鎵材料中痕量雜質(zhì)（硅、鋁、鋅、鐵）濃度及分布的分析。
半導體材料中的痕量雜質(zhì)元素濃度及其分布高精度表征是影響產(chǎn)業(yè)鏈不同階段產(chǎn)品（如襯底、外延、芯片、器件）性能的重要參數(shù)。二次離子質(zhì)譜儀是檢測材料痕量雜質(zhì)元素濃度及分布的最常用且最精準的設備。目前我國以二次離子質(zhì)譜方法高精度檢測第三代半導體材料中的痕量雜質(zhì)濃度及分布的標準屬于空白領域，兩項標準的制定對第三代半導體材料的特征參數(shù)評價及產(chǎn)業(yè)應用具有較強的積極作用。
T/CASA 009-2019《半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)濃度及分布的二次離子質(zhì)譜檢測方法》主要起草單位有北京科技大學、中國科學院半導體研究所、北京國聯(lián)萬眾半導體有限公司、山東大學、河北同光晶體有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、中國電子科技集團公司第十三研究所、中科鋼研節(jié)能科技有限公司、深圳第三代半導體研究院。該標準規(guī)定了用二次離子質(zhì)譜儀測定半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)（鋁、釩）濃度及分布的方法，適用于半絕緣碳化硅材料中痕量雜質(zhì)（鋁、釩）濃度及分布的分析。
