LED產(chǎn)業(yè)從未停止技術(shù)創(chuàng)新步伐，尤其緊跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型顯示相關(guān)的新技術(shù)一直都是產(chǎn)業(yè)追逐的焦點。半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)工藝及技術(shù)的革新都能引發(fā)產(chǎn)業(yè)極大關(guān)注。

 

　　11月25--27日，第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召開。“半導(dǎo)體照明芯片、封裝及模組技術(shù)II”分會作為SSLCHINA&IFWS2019論壇的重要技術(shù)分會之一，由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，得到了深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、木林森、中科潞安、華燦光電、中微公司、歐司朗、有研稀土等單位的鼎力支持。

　　會上，邀請到了福州大學(xué)孫捷教授分享了《面向下一代主動驅(qū)動、高分辨GaNμ-LED顯示》研究報告。孫捷教授長期從事半導(dǎo)體和二維材料器件研究。他的研究方向主要包括：III-V族半導(dǎo)體生長及器件，特別是氮化鎵基材料和器件，微LED顯示，固態(tài)照明，以及二維材料（石墨烯、二維半導(dǎo)體、h-BN）和器件。發(fā)表100余篇SCI論文，h-因子 20（WebofScience），授權(quán)6項專利，做約20次邀請報告。

　　他表示，GaNμ-LED被認為是下一代顯示的核心技術(shù)之一，以它為基礎(chǔ)的顯示器在分辨率、速度、功耗、3D效果、與其它電子設(shè)備的集成度等方面都優(yōu)于現(xiàn)在的顯示器。因此，至少在部分領(lǐng)域，例如車載顯示、AR頭盔，它將率先引導(dǎo)技術(shù)革命。然而，有源矩陣（AM）μ-LED顯示器的每個像素都需要有一個驅(qū)動單元并與之鍵合。目前，這是通過較復(fù)雜的技術(shù)來實現(xiàn)的，如巨量轉(zhuǎn)移或整片晶圓轉(zhuǎn)移和鍵合。本次報告中，我首先將重點放在設(shè)計/制造基于GaN-μLED陣列的主動驅(qū)動的0.55英寸、1323PPI微型顯示器上，該器件是我們聯(lián)合國內(nèi)數(shù)家兄弟單位，采用整片晶圓巨量轉(zhuǎn)移和鍵合技術(shù)，將μ-LED與Si CMOS驅(qū)動電路結(jié)合起來而制成的。該工藝經(jīng)進一步優(yōu)化即可實現(xiàn)工業(yè)化應(yīng)用。

 

　　隨后，他介紹了CVD石墨烯在GaN基μ-LED器件中的應(yīng)用，例如作為LED的透明電極。除此之外，還可以將GaNμ-LED與石墨烯場效應(yīng)驅(qū)動晶體管集成。在這種情況下，石墨烯不僅是透明電極，還可驅(qū)動μ-LED像素。目前，我們正在設(shè)計更完備的驅(qū)動方案。我想傳達的關(guān)鍵信息是，二維材料與GaN的結(jié)合在生產(chǎn)μ-LED微顯示器方面是有獨特優(yōu)勢的，并且原則上可以規(guī)避μ-LED的轉(zhuǎn)移、鍵合，這在電子工業(yè)中是很有研究價值的。其他新的二維半導(dǎo)體材料也可與GaN集成并發(fā)揮各自的優(yōu)點?！靖鶕?jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解！】