化合物半導(dǎo)體是未來(lái)核心材料，市場(chǎng)逐步擴(kuò)大，全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費(fèi)電子領(lǐng)域有極大市場(chǎng)。三安光電成為國(guó)內(nèi)布局化合物半導(dǎo)體的佼佼者和代表企業(yè)，從2014年開始布局化合物半導(dǎo)體，依靠其在LED領(lǐng)域?qū)aN技術(shù)的理解，更快的轉(zhuǎn)化原有優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)的全面布局。
2019年11月27日下午，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦的第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心順利落下帷幕。
本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)等大力支持。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
閉幕式上， 三安集成電路有限公司陳東坡博士做了題為“三安光電化合物半導(dǎo)體發(fā)展規(guī)劃與進(jìn)展”的主題報(bào)告，結(jié)合化合物半導(dǎo)體的發(fā)展態(tài)勢(shì)，分享了三安光電的產(chǎn)業(yè)布局及業(yè)務(wù)進(jìn)展等內(nèi)容。
報(bào)告指出，化合物半導(dǎo)體有三大主要應(yīng)用領(lǐng)域，包括微波射頻、電力電子和光電子。2023射頻元件市場(chǎng)預(yù)計(jì)達(dá)到350億美元其中，2017-2023年，濾波器 CARG 達(dá)19%, PA CARG達(dá) 7%。高集成度手機(jī) FEM 已是中高端手機(jī)必備。通信市場(chǎng)是氮化鎵射頻器件增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，2023年氮化鎵射頻市場(chǎng)規(guī)模13億美元，通信市場(chǎng)是最大的市場(chǎng)。SiC 在高功率轉(zhuǎn)化方面應(yīng)用廣泛，GaN 在高頻轉(zhuǎn)換方面應(yīng)用廣泛。
2023年SiC功率電子器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)超15億美元，電動(dòng)汽車已迎來(lái)爆炸式成長(zhǎng) (OBC, Tesla PCU, 充電樁), 未來(lái)是碳化硅電力電子主要成長(zhǎng)動(dòng)力，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，電源供應(yīng)，光伏，不斷電系統(tǒng)等需求亦持續(xù)增長(zhǎng)。
VCSEL迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，Datacom是VCSEL第一個(gè)大規(guī)模應(yīng)用；當(dāng)前消費(fèi)類應(yīng)用需求大增， 未來(lái)汽車和工業(yè)應(yīng)用將產(chǎn)生更大的需求。VCSEL技術(shù)升級(jí)比以往更快，在消費(fèi)類市場(chǎng)帶動(dòng)下，2023市場(chǎng)規(guī)模年達(dá)到35億美金，未來(lái)6年的復(fù)合成長(zhǎng)率有望接近50%。
陳東坡表示，三安光電將圍繞云(數(shù)據(jù)中心)、管（通訊網(wǎng)絡(luò)）、端（用戶終端）等提供解決方案。目前三安光電在Mini /micro LED、射頻、濾波器、電力電子、光通信等領(lǐng)域均有進(jìn)展。其中，Micro-LED研究方面，已開發(fā)出直徑為20μm的Micro LED產(chǎn)品，三安還將生產(chǎn)4μmLED和10μm的LED倒裝芯片。計(jì)劃在2019年底前開始生產(chǎn)用于智能可穿戴設(shè)備、100英寸以上大尺寸面板和汽車尾燈等小尺寸面板的Micro LED產(chǎn)品。
集成氮化鎵功率器件，基于較為成熟的650V工藝，擴(kuò)展其它領(lǐng)域的應(yīng)用（大電流、高壓/低壓等）。(下一階段) 針對(duì)200/100V技術(shù)，開發(fā)更具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。
SiC/GaN技術(shù)方面，三安可以一站式提供襯底，外延, 芯片制造及封裝、成品與代工制造。產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)方面，現(xiàn)有年產(chǎn)能9.6萬(wàn)片/年(6吋)，全面達(dá)產(chǎn)后將形成36萬(wàn)片/年的規(guī)模。
2019年11月27日下午，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦的第十六屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心順利落下帷幕。
本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，并得到深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持。國(guó)家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國(guó)家科學(xué)技術(shù)部國(guó)際合作司、國(guó)家工業(yè)和信息化部原材料工業(yè)司、國(guó)家節(jié)能中心、國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)、深圳市科技創(chuàng)新委員會(huì)等大力支持。深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
報(bào)告指出，化合物半導(dǎo)體有三大主要應(yīng)用領(lǐng)域，包括微波射頻、電力電子和光電子。2023射頻元件市場(chǎng)預(yù)計(jì)達(dá)到350億美元其中，2017-2023年，濾波器 CARG 達(dá)19%, PA CARG達(dá) 7%。高集成度手機(jī) FEM 已是中高端手機(jī)必備。通信市場(chǎng)是氮化鎵射頻器件增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，2023年氮化鎵射頻市場(chǎng)規(guī)模13億美元，通信市場(chǎng)是最大的市場(chǎng)。SiC 在高功率轉(zhuǎn)化方面應(yīng)用廣泛，GaN 在高頻轉(zhuǎn)換方面應(yīng)用廣泛。
2023年SiC功率電子器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)超15億美元，電動(dòng)汽車已迎來(lái)爆炸式成長(zhǎng) (OBC, Tesla PCU, 充電樁), 未來(lái)是碳化硅電力電子主要成長(zhǎng)動(dòng)力，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，電源供應(yīng)，光伏，不斷電系統(tǒng)等需求亦持續(xù)增長(zhǎng)。
VCSEL迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)，Datacom是VCSEL第一個(gè)大規(guī)模應(yīng)用；當(dāng)前消費(fèi)類應(yīng)用需求大增， 未來(lái)汽車和工業(yè)應(yīng)用將產(chǎn)生更大的需求。VCSEL技術(shù)升級(jí)比以往更快，在消費(fèi)類市場(chǎng)帶動(dòng)下，2023市場(chǎng)規(guī)模年達(dá)到35億美金，未來(lái)6年的復(fù)合成長(zhǎng)率有望接近50%。
陳東坡表示，三安光電將圍繞云(數(shù)據(jù)中心)、管（通訊網(wǎng)絡(luò)）、端（用戶終端）等提供解決方案。目前三安光電在Mini /micro LED、射頻、濾波器、電力電子、光通信等領(lǐng)域均有進(jìn)展。其中，Micro-LED研究方面，已開發(fā)出直徑為20μm的Micro LED產(chǎn)品，三安還將生產(chǎn)4μmLED和10μm的LED倒裝芯片。計(jì)劃在2019年底前開始生產(chǎn)用于智能可穿戴設(shè)備、100英寸以上大尺寸面板和汽車尾燈等小尺寸面板的Micro LED產(chǎn)品。
集成氮化鎵功率器件，基于較為成熟的650V工藝，擴(kuò)展其它領(lǐng)域的應(yīng)用（大電流、高壓/低壓等）。(下一階段) 針對(duì)200/100V技術(shù)，開發(fā)更具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。
SiC/GaN技術(shù)方面，三安可以一站式提供襯底，外延, 芯片制造及封裝、成品與代工制造。產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)方面，現(xiàn)有年產(chǎn)能9.6萬(wàn)片/年(6吋)，全面達(dá)產(chǎn)后將形成36萬(wàn)片/年的規(guī)模。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
