第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。
 

近日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會(huì)展中心召開。
 

期間，山西中科潞安紫外光電科技有限公司與中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會(huì)如期召開。分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
 

會(huì)上，鄭州大學(xué)外籍教授Muhammad Nawaz SHARIF分享了《采用n-AlxGa1-xN低波導(dǎo)層連續(xù)分級(jí)生長(zhǎng)的深紫外納米線激光二極管光學(xué)約束優(yōu)化》的方法，他認(rèn)為通過設(shè)計(jì)并模擬了262nm深紫外納米線激光二極管結(jié)構(gòu)，提出了兩種參數(shù)相同的結(jié)構(gòu)，其n-WG分級(jí)不同。并且針對(duì)NW-LD1具有x=0.75的n-AlXGa1-xN波導(dǎo)層，NW-LD2具有x=0.75-0.66的n-AlXGa1-xN波導(dǎo)層的兩種條件下，進(jìn)行了模擬，結(jié)果表明，漸變n-WG比非漸變n-WG具有82%的光限域。連續(xù)分級(jí)使激活區(qū)域周圍的實(shí)際指數(shù)平滑變化，從而產(chǎn)生線性電特性。通過結(jié)論證明了可以采用n-AlxGa1-xN低波導(dǎo)層連續(xù)分級(jí)生長(zhǎng)能優(yōu)化UVC LED材料生長(zhǎng)，提高其光學(xué)特性。

 

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