近日，由深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局特別支持，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，深圳第三代半導(dǎo)體研究院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十六屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2019）暨2019國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2019）在深圳會展中心召開。
期間，山西中科潞安紫外光電科技有限公司與中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)”分會如期召開。分會重點關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。
深紫外(DUV)和極深紫外(EUV)探測器在光刻、天文監(jiān)測以及國防預(yù)警等諸多領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。在適用于DUV和EUV探測的所有寬禁帶半導(dǎo)體材料中，碳化硅(SiC) 因其可見光盲、漏電流低和抗輻射性能好等優(yōu)良特性能而受到了廣泛的關(guān)注。此外，由于EUV光在半導(dǎo)體材料中的穿透深度非常淺，因此具有表面結(jié)的SiC肖特基勢壘光電二極管在該波段相較于其他結(jié)構(gòu)的器件具有更高的量子效率(QE)。
會上，南京大學(xué)的王致遠(yuǎn)做了《用于DUV和EUV探測的高性能SiC肖特基勢壘光電二極管》的報告，他在報告中介紹了他們課題組研制出來的一種特殊的SiC SBD，并用其設(shè)計并制作了高性能DUV&EUV探測器，明確了SiC材料在深紫外探測領(lǐng)域的技術(shù)和前景。
他認(rèn)為SiC肖特基勢壘光電二極管在DUV和EUV探測方面具有明顯的優(yōu)勢和發(fā)展?jié)摿Α１憩F(xiàn)在：1）全電極裝置具有極低泄漏、抗輻射能力強(qiáng)、穩(wěn)定性好的優(yōu)良性能；2）與全電極裝置相比，柵電極裝置在EUV波長范圍內(nèi)，特別是在100nm以上的波長范圍內(nèi)，具有優(yōu)越的檢測能力。3）最重要的是，該柵電極裝置可以在0V偏壓下工作，具有更廣泛的應(yīng)用前景。
當(dāng)然該技術(shù)仍然在研發(fā)階段，目前需要解決問題仍然較多，目前主要解決的包括幾點：1）進(jìn)一步優(yōu)化制備工藝條件，研制大型探測器部件和探測陣列；2）進(jìn)一步提高裝置的抗輻射性和溫度穩(wěn)定性。
