近日，由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦的第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心召開(kāi)。
 

期間，由山西中科潞安紫外光電科技有限公司、中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司共同協(xié)辦的“固態(tài)紫外器件技術(shù)分會(huì)”上，廈門三安光電股份有限公司副總經(jīng)理GaN事業(yè)部總經(jīng)理張中英分享了UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新進(jìn)展。介紹了量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與高質(zhì)量外延，優(yōu)化芯片結(jié)構(gòu)獲得高性能AlGaN-DUV-LED，DUV LED產(chǎn)品線和模塊解決方案等內(nèi)容。

AlGaN基深紫外發(fā)光二極管（DUV）具有壽命長(zhǎng)、波長(zhǎng)可調(diào)、環(huán)境友好、方向性好、開(kāi)關(guān)速度快、結(jié)構(gòu)緊湊、靈活性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在水中取代傳統(tǒng)的紫外光源（特別是汞燈）方面顯示出巨大的應(yīng)用潛力凈化、表面滅菌、生物醫(yī)學(xué)等。
 

然而，AlGaN基DUV-led的實(shí)際應(yīng)用還存在一些技術(shù)問(wèn)題。而提高器件的外量子效率（EQE）是目前急需解決的主要問(wèn)題之一，它通常低于10%，且受內(nèi)部量子效率（IQE）和光提取效率（LEE）的影響。

研究以奈米圖形藍(lán)寶石基板（NPS）及超晶格插入層來(lái)減少層內(nèi)缺陷與應(yīng)變，來(lái)外延生長(zhǎng)高晶質(zhì)AlN與AlGaN層。研究了周期超晶格結(jié)構(gòu)和脈沖δ摻雜對(duì)Mg元素激活特性的影響，以提高M(jìn)g元素的摻雜效率和激活效率。

為了改善器件的LEE特性，引入了新型TCL-Al高反射電極與微結(jié)構(gòu)相結(jié)合，以提高器件的出光角和輸出效率。在此基礎(chǔ)上，研制出工作電流為100mA的高性能AlGaN-DUV-led，輸出功率為34mw。從產(chǎn)品角度出發(fā)，對(duì)DUV-LED芯片和封裝模塊的穩(wěn)定性進(jìn)行了研究。
 

張中英研究方向?yàn)镮II/V族化合物半導(dǎo)體材料與光電組件，入選“福建省百人計(jì)劃”，現(xiàn)擔(dān)任三安光電股份有限公司副總經(jīng)理兼氮化鎵事業(yè)部總經(jīng)理。在Ⅲ/Ⅴ族化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域資厲20年，積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，已承擔(dān)國(guó)家科技部、工信部、發(fā)改委4項(xiàng)重大項(xiàng)目，申請(qǐng)相關(guān)專利43項(xiàng)，發(fā)表學(xué)術(shù)論文30篇。
 

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