近日，第十七屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2020）在深圳會(huì)展中心舉行。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦。南方科技大學(xué)微電子學(xué)院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。
期間，由華燦光電股份有限公司、佛山市國(guó)星光電股份有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司共同協(xié)辦的“Mini/Micro-LED及其他新型顯示工程應(yīng)用峰會(huì)”上，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司張麗旸博士分享了應(yīng)用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新進(jìn)展。
Micro-LED的主要挑戰(zhàn)是成本，外延工藝要求涉及到晶圓尺寸、EPI厚度、均勻性、缺陷/顆粒、效率等方面。晶湛半導(dǎo)體專注于氮化鎵材料外延，提供高質(zhì)量晶圓片，用于光電領(lǐng)域。報(bào)告中分享了晶湛的技術(shù)進(jìn)展。
報(bào)告指出，GaN-on-Si技術(shù)是充分利用性能和成本的最佳途徑。GaN-on-Si（≥200mm）技術(shù)在微型LED顯示領(lǐng)域有很大的發(fā)展前景。未來(lái)大規(guī)模生產(chǎn)需要設(shè)備制造商和epi晶圓供應(yīng)商之間的合作。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，如有出入敬請(qǐng)諒解）
