在半導(dǎo)體制造上，國(guó)內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。
5月31日晚間，南大光電發(fā)布公告，控股子公司寧波南大光電自主研發(fā)的ArF光刻膠繼2020年12月在一家存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺(tái)上通過(guò)認(rèn)證后，近日又在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品上取得了認(rèn)證突破，表明公司光刻膠產(chǎn)品已具備55nm平臺(tái)后段金屬布線(xiàn)層的工藝要求。
受該利好消息影響，今天南大光電股價(jià)開(kāi)盤(pán)大漲，截至收盤(pán)股價(jià)上漲11.17%，收于35.19元/股。
資料顯示，隨著芯片跨入納米級(jí)，半導(dǎo)體光刻膠的波長(zhǎng)也在不斷縮短，已經(jīng)由紫外寬譜逐步發(fā)展到g線(xiàn)（436nm）、i線(xiàn)（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF Immersion 浸潤(rùn)式，以及最先進(jìn)的EUV（<13.5nm）線(xiàn)水平。
從國(guó)內(nèi)的光刻膠市場(chǎng)來(lái)看，低端的中g(shù)線(xiàn)/i線(xiàn)光刻膠自給率約為20%，KrF光刻膠自給率不足5%，而高端的ArF光刻膠完全依賴(lài)進(jìn)口，是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體的卡脖子技術(shù)之一。
雖然南大光電的ArF光刻膠現(xiàn)在通過(guò)的是55nm工藝認(rèn)證，但ArF光刻膠涵蓋的工藝技術(shù)很廣，可用于90nm-14nm甚至7nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造工藝，廣泛應(yīng)用于芯片制造（如邏輯芯片、 存儲(chǔ)芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計(jì)算芯片等）。
